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1. (WO2018032918) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/032918    International Application No.:    PCT/CN2017/092748
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 13.07.2017
IPC:
H01L 29/423 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: QIN, Wei; (CN)
Agent: CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Priority Data:
201610698433.8 19.08.2016 CN
Title (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及显示装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a TFT and a manufacturing method thereof, a display substrate, and a display device. The TFT comprises: a substrate; a gate; a gate insulating layer; a semiconductor layer; a source; and a drain. The gate has a rough surface at one side thereof facing the semiconductor layer. Since the gate has an uneven surface, a light beam reflected to the uneven surface of the gate is not reflected again, or is directly scattered in other directions, such that an entering light beam of a backlight source is unable to illuminate the semiconductor layer by means of continuous reflection, thereby reducing a frequency at which the semiconductor layer is illuminated, and improving stability of the TFT.
(FR)La présente invention concerne un TFT et un procédé de fabrication de celui-ci, un substrat d'affichage et un dispositif d'affichage. Le TFT comprend : une grille, une couche d'isolation de grille, une couche semi-conductrice, une source, et un drain. La grille a une surface rugueuse sur un côté de celle-ci faisant face à la couche semi-conductrice. Comme la grille a une surface irrégulière, un faisceau lumineux réfléchi sur la surface irrégulière de la grille n'est pas réfléchi à nouveau, ou est directement diffusé dans d'autres directions, de telle sorte qu'un faisceau lumineux entrant d'une source de rétroéclairage ne peut pas éclairer la couche semi-conductrice par réflexion continue, ce qui permet de réduire une fréquence à laquelle la couche semi-conductrice est éclairée, et d'améliorer la stabilité du TFT. (FIG. 1)
(ZH)公开了一种TFT及其制备方法、显示基板及显示装置。该TFT包括衬底、栅极、栅极绝缘层、半导体层、以及源极和漏极。所述栅极在朝向所述半导体层的一侧具有粗糙表面。由于栅极表面的凹凸不平,使得反射到栅极表面的光线不会再进行反射,或者直接散射到其他方向。这使得背光源的入射光线无法再通过连续反射照射到半导体层上,减少半导体层被光照射的频率,并且提升TFT的稳定性。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)