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1. (WO2018032684) CHUCK, REACTION CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT
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Pub. No.:    WO/2018/032684    International Application No.:    PCT/CN2016/112387
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 27.12.2016
IPC:
H01L 21/683 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/20 (2006.01)
Applicants: BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; NO.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area, Beijing 100176 (CN)
Inventors: ZHANG, Huwei; (CN)
Agent: TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201610675069.3 16.08.2016 CN
Title (EN) CHUCK, REACTION CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT
(FR) MANDRIN, CHAMBRE DE RÉACTION ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
(ZH) 卡盘、反应腔室及半导体加工设备
Abstract: front page image
(EN)Provided are a chuck, a reaction chamber and a semiconductor processing equipment. The chuck comprises an insulating layer (5) and a substrate (7). The insulating layer (5) comprises a first bearing surface (51) for bearing a central area of a wafer (6) and a second bearing surface (52) surrounding the outer periphery of the first bearing surface (51) for bearing an edge area of the wafer (6), wherein the first bearing surface (51) has a first roughness that can increase contact area between the wafer (6) and the first bearing surface (51) under a condition that gas between the first bearing surface (51) and the wafer (6) is evenly distributed. The reaction chamber comprises the chuck. The semiconductor processing equipment comprises the reaction chamber. The chuck, the reaction chamber and the semiconductor processing equipment can improve heat conduction efficiency from the wafer to the chuck, thereby avoiding damage caused by too fast heating up of the wafer surface.
(FR)L’invention porte sur un mandrin, une chambre de réaction et sur un appareil de traitement de semi-conducteurs. Le mandrin comprend une couche isolante (5) et un substrat (7). La couche isolante (5) comprend une première surface d'appui (51) pour supporter une zone centrale d'une tranche (6) et une seconde surface d'appui (52) entourant la périphérie externe de la première surface d'appui (51) pour supporter une zone de bord de la tranche (6), la première surface d'appui (51) ayant une première rugosité qui peut augmenter la zone de contact entre la tranche (6) et la première surface d'appui (51) dans une condition telle que le gaz entre la première surface d'appui (51) et la tranche (6) soit distribué de manière uniforme. La chambre de réaction comprend le mandrin. L'équipement de traitement de semi-conducteurs comprend la chambre de réaction. Le mandrin, la chambre de réaction et l'équipement de traitement de semi-conducteurs peuvent améliorer l'efficacité de conduction de chaleur de la tranche au mandrin, ce qui permet d'éviter des dommages provoqués par un chauffage trop rapide de la surface de tranche.
(ZH)一种卡盘、反应腔室及半导体加工设备。卡盘包括绝缘层(5)和基体(7),绝缘层(5)包括第一承载面(51)和环绕在第一承载面(51)外周的第二承载面(52),第一承载面(51)用于承载晶片(6)的中心区域,第二承载面(52)用于承载晶片(6)的边缘区域,其中,第一承载面(51)具有第一粗糙度,第一粗糙度能够保证位于第一承载面(51)与晶片(6)之间的气体均匀分布的前提下,增大晶片(6)与第一承载面(51)之间的接触面积。反应腔室包括卡盘。半导体加工设备包括反应腔室。卡盘、反应腔室及半导体加工设备,可以提高晶片向卡盘进行热传导的效率,避免因晶片表面升温过快而造成的损坏。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)