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1. (WO2018032601) METHOD FOR PREPARING ENHANCED GAN-BASED HEMT DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/032601    International Application No.:    PCT/CN2016/102697
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 20.10.2016
IPC:
H01L 21/335 (2006.01)
Applicants: SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO),CHINESE ACADEMY OF SCIE [CN/CN]; No. 398 Ruoshui Road, SIP Suzhou, Jiangsu 215123 (CN)
Inventors: ZHOU, Yu; (CN).
ZHONG, Yaozong; (CN).
SUN, Qian; (CN).
FENG, Meixin; (CN).
GAO, Hongwei; (CN).
YANG, Hui; (CN)
Agent: NANJING LI & FENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY(SPECIAL GENERAL PARTNERSHIP); WANG Feng Room 1801, Jiangsu International Trade Building No. 50, Zhonghua Road, Qinhuai District Nanjing, Jiangsu 211100 (CN)
Priority Data:
201610693110.X 19.08.2016 CN
Title (EN) METHOD FOR PREPARING ENHANCED GAN-BASED HEMT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN DISPOSITIF HEMT À BASE DE GAN AMÉLIORÉ
(ZH) GaN基增强型HEMT器件的制备方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for preparing an enhanced GaN-based HEMT, comprising: etching selected regions of an epitaxial structure of an HEMT by using an oxygen-containing etching gas, etc. to react a selected material (for example, an aluminium-containing substance) in the selected regions with the oxygen-containing substance until a corrosion-resistant substance capable of covering an etching surface is formed, thereby preventing an etching reagent from etching the epitaxial structure and achieving the automatic termination of etching and also obtaining a required HEMT device structure. By means of the present application, the precise control of an etching operation during the preparation of an HEMT device can be achieved, the electrical properties of the device can be ensured, the difficulty of preparing an enhanced HEMT by using technologies such as p-type gate technology and trench gate technology can be greatly reduced, and the repeatability, uniformity and stability of the device process can be ensured. At the same time, during the etching process, a passivation layer can also be naturally formed in situ on the etching surface, so that problems such as surface damage caused by a subsequent passivation layer deposition process can be effectively eliminated, and in turn problems such as the deterioration of the electrical properties of the materials and the device can be eliminated.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation d'un HEMT à base de GaN amélioré, consistant : à graver des régions sélectionnées d'une structure épitaxiale d'un HEMT en utilisant un gaz de gravure contenant de l'oxygène, etc. afin de faire réagir un matériau sélectionné (par exemple, une substance contenant de l'aluminium) dans les régions sélectionnées à l'aide de la substance contenant de l'oxygène jusqu'à ce qu'une substance résistante à la corrosion permettant de recouvrir une surface de gravure soit formée, ce qui permet d'empêcher un réactif de gravure de graver la structure épitaxiale et d'obtenir l'interruption automatique de la gravure et d'obtenir également une structure de dispositif HEMT requise. Au moyen de la présente invention, la commande précise d'une opération de gravure pendant la préparation d'un dispositif HEMT peut être obtenue, les propriétés électriques du dispositif peuvent être garanties, la difficulté de préparation d'un HEMT amélioré à l'aide de technologies telles que la technologie de grille de type p et la technologie de grille de tranchée peut être fortement réduite, et la répétabilité, l'uniformité et la stabilité du processus du dispositif peuvent être assurées. En même temps, pendant le processus de gravure, une couche de passivation peut également être formée naturellement in situ sur la surface de gravure, de telle sorte que des problèmes tels que l'endommagement de la surface provoqués par un processus de dépôt de couche de passivation ultérieur peuvent être efficacement éliminés, ce qui permet d'éliminer à leur tour des problèmes tels que la détérioration des propriétés électriques des matériaux et du dispositif.
(ZH)本申请公开了一种GaN基增强型HEMT的制备方法,包括:以含氧的刻蚀气体等对HEMT的外延结构中的选定区域进行刻蚀,使所述选定区域中的选定材料(例如含铝物质)与含氧物质反应,直至形成能将刻蚀面覆盖的耐刻蚀物质,从而阻止刻蚀试剂对外延结构的刻蚀,实现刻蚀的自动终止,同时获得所需HEMT器件结构。籍由本申请可以实现HEMT器件制备过程中的刻蚀操作的精确控制,确保器件电学特性,极大降低采用诸如p型栅技术、槽栅技术等制备增强型HEMT的难度,保证器件工艺的重复性、均匀性、稳定性,同时在刻蚀过程中,还可于刻蚀面上自然形成原位钝化层,从而有效消除由于后续钝化层沉积工艺而造成的表面损伤等问题,进而消除材料与器件电学特性恶化等问题。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)