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Pub. No.:    WO/2018/032579    International Application No.:    PCT/CN2016/100576
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 28.09.2016
H01L 21/77 (2017.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventors: ZHANG, Xiaoxing; (CN).
ZHOU, Xingyu; (CN).
HSU, Yuan Jun; (CN)
Agent: YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU Dajian/LIU Hualian West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza, 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052 (CN)
Priority Data:
201610683532.9 17.08.2016 CN
(ZH) 一种TFT基板的制备方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for preparing a TFT substrate, the TFT substrate comprising a drive TFT region and a display TFT region, and the two TFT regions being manufactured using different techniques in order to meet different TFT requirements. The method for preparing the TFT substrate mainly comprises manufacturing a first amorphous silicon layer (21) to obtain the drive TFT region; manufacturing a second amorphous silicon layer (61) to obtain the display TFT region; depositing a passivation layer (9) and a planar layer (10), and further processing to complete the preparation of the TFT substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé d'élaboration d'un substrat TFT, le substrat TFT comprenant une région de TFT d'attaque et une région de TFT d'affichage, les deux régions de TFT étant fabriquées à l'aide de différentes techniques afin de répondre à différentes exigences de TFT. Le procédé d'élaboration du substrat TFT consiste principalement : à fabriquer une première couche de silicium amorphe (21) de manière à obtenir la région de TFT d'attaque; à fabriquer une seconde couche de silicium amorphe (61) de manière à obtenir la région de TFT d'affichage; à déposer une couche de passivation (9) et une couche plane (10), puis à effectuer un traitement supplémentaire de manière à achever l'élaboration du substrat TFT.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)