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1. (WO2018031995) WAFER-LEVEL PACKAGE WITH ENHANCED PERFORMANCE
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Pub. No.: WO/2018/031995 International Application No.: PCT/US2017/046758
Publication Date: 15.02.2018 International Filing Date: 14.08.2017
IPC:
H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: QORVO US, INC.[US/US]; 7628 Thorndike Road Greensboro, North Carolina 27409, US
Inventors: COSTA, Julio, C.; US
VANDEMEER, Jan, Edward; US
HAMMOND, Jonathan, Hale; US
HATCHER, Merrill, Albert, Jr.; US
CHADWICK, Jon; US
Agent: WITHROW, Benjamin, S.; US
Priority Data:
62/374,31812.08.2016US
62/374,33212.08.2016US
62/374,43912.08.2016US
Title (EN) WAFER-LEVEL PACKAGE WITH ENHANCED PERFORMANCE
(FR) ENCAPSULATION SUR TRANCHE AYANT DES PERFORMANCES AMELIOREES
Abstract: front page image
(EN) The present disclosure relates to a packaging process to enhance thermal and electrical performance of a wafer-level package. The wafer-level package with enhanced performance includes a first thinned die (14) having a first device layer (20), a multilayer redistribution structure (52), a first mold compound (42), and a second mold compound (74). The multilayer redistribution structure includes package contacts on a bottom surface of the multilayer redistribution structure and redistribution interconnects connecting the first device layer to the package contacts. The first mold compound resides over the multilayer redistribution structure and around the first thinned die, and extends beyond a top surface of the first thinned die to define a cavity (66) within the first mold compound and over the first thinned die. The second mold compound fills the cavity and is in contact with the top surface of the first thinned die.
(FR) La présente invention se rapporte à un procédé d'encapsulation permettant d'améliorer les performances thermiques et électriques d'une encapsulation sur tranche. L'encapsulation sur tranche ayant des performances améliorées comprend une première puce amincie (14) ayant une première couche de dispositif (20), une structure de redistribution multicouche (52), un premier composé de moulage (42) et un second composé de moulage (74). La structure de redistribution multicouche comprend des contacts d'encapsulation sur une surface inférieure de la structure de redistribution multicouche et des interconnexions de redistribution reliant la première couche de dispositif aux contacts d'encapsulation. Le premier composé de moulage se trouve sur la structure de redistribution multicouche et autour de la première puce amincie et s'étend au-delà d'une surface supérieure de la première puce amincie pour définir une cavité (66) à l'intérieur du premier composé de moulage et sur la première puce amincie. Le second composé de moulage remplit la cavité et est en contact avec la surface supérieure de la première puce amincie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)