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1. (WO2018031813) MICROSTRUCTURE ARRANGEMENT FOR GRIPPING LOW COEFFICIENT OF FRICTION MATERIALS
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Pub. No.:    WO/2018/031813    International Application No.:    PCT/US2017/046357
Publication Date: 15.02.2018 International Filing Date: 10.08.2017
IPC:
B81C 1/00 (2006.01), B29C 43/02 (2006.01), B29C 59/00 (2006.01), A61L 27/28 (2006.01), A61L 27/40 (2006.01), D05B 91/06 (2006.01)
Applicants: HOOWAKI, LLC [US/US]; 400 Birnie Street Suite C Greenville, South Carolina 29611 (US)
Inventors: HULSEMAN, Ralph A.; (US).
MCPHERSON, Cameron L.; (US).
RAVIKUMAR, Nakul; (US)
Agent: KIM, Douglas; (US)
Priority Data:
62/372,896 10.08.2016 US
Title (EN) MICROSTRUCTURE ARRANGEMENT FOR GRIPPING LOW COEFFICIENT OF FRICTION MATERIALS
(FR) AGENCEMENT DE MICROSTRUCTURES PERMETTANT DE SAISIR DES MATÉRIAUX À FAIBLE COEFFICIENT DE FROTTEMENT
Abstract: front page image
(EN)A microstructure arrangement for gripping low coefficient material comprising: a substrate disposed on a gripping surface; a set of pillars disposed on the substrate; and, wherein the set of pillars have the physical property of a grip force in excess of 50.0N with a contact area of 25% or less as determined by the friction testing method. A first set of pillars can be disposed on the substrate having a cross section area in the range of 100 µm2 to 160,000 µm2, height relative to the substrate in the range of 10 µm to 400 µm, and a pitch determined from the center of the pillars, in the range of 20 µm to 1000 µm; and a secondary set of pillars disposed on the first set of pillars having a cross section area less than that of the pillars in the first set of pillars.
(FR)La présente invention concerne un agencement de microstructures permettant de saisir un matériau à faible coefficient, comprenant : un substrat disposé sur une surface de préhension; un ensemble de piliers disposé sur le substrat; et, l'ensemble de piliers possédant la propriété physique d'une force de préhension supérieure à 50,0 N avec une surface de contact de 25% ou moins telle que déterminée par le procédé d'essai de frottement. Un premier ensemble de piliers peut être disposé sur le substrat ayant une zone de section transversale dans la plage de µm2 à 160,000 µm2, une hauteur par rapport au substrat dans la plage de 10 µm à 400 µm, et un pas déterminé à partir du centre des piliers dans la plage de 20 µm à 1 000 µm; et un ensemble secondaire de piliers disposé sur le premier ensemble de piliers ayant une zone de section transversale inférieure à celle des piliers dans le premier ensemble de piliers.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)