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1. (WO2018031527) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A RESONANT TUNNELING DIODE STRUCTURE WITH ELECTRON MEAN FREE PATH CONTROL LAYERS COMPRISING A SUPERLATTICE AND ASSOCIATED METHODS
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Pub. No.:    WO/2018/031527    International Application No.:    PCT/US2017/045863
Publication Date: 15.02.2018 International Filing Date: 08.08.2017
IPC:
H01L 29/88 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01)
Applicants: ATOMERA INCORPORATED [US/US]; 750 University Avenue Suite 280 Los Gatos, California 95032 (US)
Inventors: MEARS, Robert J.; (US).
TAKEUCHI, Hideki; (US).
HYTHA, Marek; (US)
Agent: REGAN, Christopher F.; (US).
WARTHER, Richard K.; (US).
WOODSON, II, John F.; (US).
TAYLOR, Michael W.; (US).
ABID, Jack G.; (US).
CARUS, David S.; (US).
MCKINNEY, Matthew G.; (US)
Priority Data:
62/371,971 08.08.2016 US
15/670,266 07.08.2017 US
15/670,274 07.08.2017 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A RESONANT TUNNELING DIODE STRUCTURE WITH ELECTRON MEAN FREE PATH CONTROL LAYERS COMPRISING A SUPERLATTICE AND ASSOCIATED METHODS
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE STRUCTURE DE DIODE À EFFET TUNNEL RÉSONNANT AVEC DES COUCHES DE COMMANDE DE LIBRE PARCOURS MOYEN DE L'ÉLECTRON COMPRENANT UN SUPER-RÉSEAU ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device includes at least one double-barrier resonant tunneling diode (DBRTD). The at least one DBRTD includes a first doped semiconductor layer, and a first barrier layer on the first doped semiconductor layer and including a superlattice. The DBRTD further includes a first intrinsic semiconductor layer on the first barrier layer, a second barrier layer on the first intrinsic semiconductor layer and also including the superlattice, a second intrinsic semiconductor layer on the second barrier layer, a third barrier layer on the second intrinsic semiconductor layer and also including the superlattice. A third intrinsic semiconductor layer is on the third barrier layer, a fourth barrier layer is on the third intrinsic semiconductor layer and also including the superlattice, a second doped semiconductor layer is on the fourth barrier layer.
(FR)Un dispositif à semi-conducteur comprend au moins une diode à effet tunnel résonnant à double barrière (DBRTD). La ou les DBRTD comprennent une première couche semi-conductrice dopée, et une première couche barrière sur la première couche semi-conductrice dopée et comprenant un super-réseau. La DBRTD comprend en outre une première couche semi-conductrice intrinsèque sur la première couche barrière, une deuxième couche barrière sur la première couche semi-conductrice intrinsèque et comprenant également le super-réseau, une deuxième couche semi-conductrice intrinsèque sur la deuxième couche barrière, une troisième couche barrière sur la deuxième couche semi-conductrice intrinsèque et comprenant également le super-réseau. Une troisième couche semi-conductrice intrinsèque est située sur la troisième couche barrière, une quatrième couche barrière se trouve sur la troisième couche semi-conductrice intrinsèque et comprenant également le super-réseau, une seconde couche semi-conductrice dopée est située sur la quatrième couche barrière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)