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1. (WO2018031217) APPARATUSES INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME
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Pub. No.:    WO/2018/031217    International Application No.:    PCT/US2017/043245
Publication Date: 15.02.2018 International Filing Date: 21.07.2017
IPC:
G11C 11/56 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716 (US)
Inventors: TORTORELLI, Innocenzo; (IT).
MEYER, Russell L.; (US).
PIROVANO, Agostino; (IT).
REDAELLI, Andrea; (IT).
FRATIN, Lorenzo; (IT).
PELLIZZER, Fabio; (US)
Agent: DORSEY & WHITNEY LLP; 701 5th Ave Suite 6100 Seattle, Washington 98104 (US).
ENG, Kimton; (US).
HEGSTROM, Brandon; (US).
ITO, Mika; (US).
MAKINO, Kyoko; (US).
MEIKLEJOHN, Paul T.; (US).
NYRE, Erik; (US).
ORME, Nathan; (US).
QUECAN, Andrew; (US).
SPAITH, Jennifer; (US).
WETZEL, Elen; (US).
ANDKEN, Kerrylee; (US)
Priority Data:
15/231,518 08.08.2016 US
Title (EN) APPARATUSES INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME
(FR) APPAREILS COMPRENANT DES CELLULES MÉMOIRE MULTI-NIVEAUX ET LEURS PROCÉDÉS DE FONCTIONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)Disclosed herein is a memory cell including a memory element and a selector device. Data may be stored in both the memory element and selector device. The memory cell may be programmed by applying write pulses having different polarities and magnitudes. Different polarities of the write pulses may program different logic states into the selector device. Different magnitudes of the write pulses may program different logic states into the memory element. The memory cell may be read by read pulses all having the same polarity. The logic state of the memory cell may be detected by observing different threshold voltages when the read pulses are applied. The different threshold voltages may be responsive to the different polarities and magnitudes of the write pulses.
(FR)L'invention concerne une cellule mémoire comprenant un élément de mémoire et un dispositif de sélection. Les données peuvent être stockées à la fois dans l'élément de mémoire et dans le dispositif de sélection. La cellule mémoire peut être programmée en appliquant des impulsions d'écriture ayant des polarités et des amplitudes différentes. Les différentes polarités des impulsions d'écriture peuvent programmer différents états logiques dans le dispositif de sélection. Les différentes amplitudes des impulsions d'écriture peuvent programmer différents états logiques dans l'élément de mémoire. La cellule mémoire peut être lue par des impulsions de lecture ayant toutes la même polarité. L'état logique de la cellule mémoire peut être détecté en observant différentes tensions de seuil lors de l'application des impulsions de lecture. Les différentes tensions de seuil peuvent être sensibles aux différentes polarités et amplitudes des impulsions d'écriture.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)