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1. (WO2018030490) SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, RADIATION IMAGE CAPTURING SYSTEM, AND METHOD OF CONTROLLING SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/030490    International Application No.:    PCT/JP2017/029000
Publication Date: 15.02.2018 International Filing Date: 09.08.2017
IPC:
A61B 6/14 (2006.01), A61B 6/00 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventors: SAWADA Junichi; (JP).
KYUSHIMA Ryuji; (JP).
OKADA Haruyoshi; (JP).
FUJITA Kazuki; (JP).
MORI Harumichi; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
SHIBAYAMA Kenichi; (JP)
Priority Data:
2016-157981 10.08.2016 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, RADIATION IMAGE CAPTURING SYSTEM, AND METHOD OF CONTROLLING SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS, SYSTÈME DE CAPTURE D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置、放射線撮像システム、および固体撮像装置の制御方法
Abstract: front page image
(EN)This mode of embodiment of the present invention relates to a radiation image capturing system which is provided with a structure for enabling a reduction in linear noise that is manifested in an image after integration, and which includes a solid-state image capturing device. The solid-state image capturing device includes: L imaging pixel regions arranged in a direction intersecting a direction of movement of a relative position of the solid-state image capturing device; and L A/D converting units provided corresponding to the L imaging pixel regions. Each imaging pixel region includes pixels disposed two-dimensionally to form a matrix having M rows and N columns. One or more of the L A/D conversion units executes a dummy A/D conversion one or more times after A/D conversion of an electrical signal from an m-th row pixel and before A/D conversion of an electrical signal from an (m+1)-th row pixel.
(FR)Ce mode de réalisation de la présente invention concerne un système de capture d'images radiologiques qui est pourvu d'une structure permettant une réduction du bruit linéaire qui se manifeste dans une image après intégration, et qui comprend un dispositif de capture d'images à semi-conducteurs. Le dispositif de capture d'images à semi-conducteurs comprend : L régions de pixels d'imagerie disposées dans une direction coupant une direction de déplacement d'une position relative du dispositif de capture d'images à semi-conducteurs ; et L unités de conversion A/N prévues correspondant aux L régions de pixels d'imagerie. Chaque région de pixels d'imagerie comprend des pixels disposés dans un plan pour former une matrice ayant M rangées et N colonnes. Une ou plusieurs des unités de conversion A/N exécute(nt) une conversion A/N fictive une ou plusieurs fois après conversion A/N d'un signal électrique provenant d'un pixel de la m-ième rangée et avant la conversion A/N d'un signal électrique provenant d'un pixel de la (m+1)-ième rangée.
(JA)本実施形態は、積算後の画像に現れる線状のノイズの低減を可能にするための構造を備えた、固体撮像装置を含む放射線撮像システム等に関する。固体撮像装置は、当該固定撮像装置の相対的位置の移動方向と交差する方向に沿って配列されたL個の撮像画素領域と、L個の撮像画素領域に対応して設けられたL個のA/D変換部を有する。各撮像画素領域は、M行N列マトリクスを構成するよう二次元的に配置された画素を含む。L個のA/D変換部のうち何れかは、第m行の画素からの電気信号をA/D変換した後、第(m+1)行の画素からの電気信号をA/D変換する前に、一回またはそれ以上の回数だけダミーのA/D変換が実行される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)