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1. (WO2018030278) POWER AMPLIFIER MODULE, FRONT END CIRCUIT AND COMMUNICATION DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/030278    International Application No.:    PCT/JP2017/028276
Publication Date: 15.02.2018 International Filing Date: 03.08.2017
IPC:
H03F 3/195 (2006.01), H03F 3/24 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: TAKENAKA, Isao; (JP)
Agent: YOSHIKAWA, Shuichi; (JP).
SOBAJIMA, Masaaki; (JP)
Priority Data:
2016-158068 10.08.2016 JP
Title (EN) POWER AMPLIFIER MODULE, FRONT END CIRCUIT AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) MODULE AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE, CIRCUIT FRONTAL ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
Abstract: front page image
(EN)This PA module (1) is provided with: a multilayer substrate having a ground pattern layer (GND) that is connected to the ground of a power supply (70); amplifier transistors (10, 20) which are arranged on the multilayer substrate; a bypass capacitor (23) having one end connected to the collector of the amplifier transistor (20); a first wiring line (L14) which connects the emitter of the amplifier transistor (10) and the ground pattern layer (GND) to each other; a second wiring line (L24) which connects the emitter of the amplifier transistor (20) and the ground pattern layer (GND) to each other; a third wiring line (L25) which connects the other end of the bypass capacitor (23) and the ground pattern layer (GND) to each other; and a fourth wiring line (L61) which is formed between the amplifier transistor (10) and the ground pattern layer (GND) and between the bypass capacitor (23) and the ground pattern layer (GND), and which connects the first wiring line (L14) and the third wiring line (L25) to each other.
(FR)La présente invention concerne un module PA (1) qui comporte : un substrat multicouches ayant une couche de motif de masse (GND) qui est connectée à la masse d'une alimentation électrique (70); des transistors amplificateurs (10, 20) qui sont disposés sur le substrat multicouches; un condensateur de dérivation (23) dont une extrémité est connectée au collecteur du transistor amplificateur (20); une première ligne de câblage (L14) qui connecte l'émetteur du transistor amplificateur (10) et la couche de motif de masse (GND) l'un à l'autre; une deuxième ligne de câblage (L24) qui connecte l'émetteur du transistor amplificateur (20) et la couche de motif de masse (GND) l'un à l'autre; une troisième ligne de câblage (L25) qui connecte l'autre extrémité du condensateur de dérivation (23) et la couche de motif de masse (GND) l'une à l'autre; et une quatrième ligne de câblage (L61) qui est formée entre le transistor amplificateur (10) et la couche de motif de masse (GND) et entre le condensateur de dérivation (23) et la couche de motif de masse (GND), et qui connecte la première ligne de câblage (L14) et la troisième ligne de câblage (L25) l'une à l'autre.
(JA)PAモジュール(1)は、電源(70)のグランドに接続されるグランドパターン層(GND)を有する多層基板と、当該多層基板上に配置された増幅トランジスタ(10および20)と、一方端が増幅トランジスタ(20)のコレクタに接続されたバイパスコンデンサ(23)と、増幅トランジスタ(10)のエミッタとグランドパターン層(GND)とを接続する第1配線(L14)と、増幅トランジスタ(20)のエミッタとグランドパターン層(GND)とを接続する第2配線(L24)と、バイパスコンデンサ(23)の他方端とグランドパターン層(GND)とを接続する第3配線(L25)と、増幅トランジスタ(10)とグランドパターン層(GND)との間かつバイパスコンデンサ(23)とグランドパターン層(GND)との間に形成され、第1配線(L14)と第3配線(L25)とを接続する第4配線(L61)とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)