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1. (WO2018029778) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/029778    International Application No.:    PCT/JP2016/073414
Publication Date: 15.02.2018 International Filing Date: 09.08.2016
Chapter 2 Demand Filed:    17.02.2017    
IPC:
H01J 37/20 (2006.01), H01J 37/30 (2006.01)
Applicants: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventors: KANEKO Asako; (JP).
TAKASU Hisayuki; (JP).
IWAYA Toru; (JP)
Agent: POLAIRE I.P.C.; 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025 (JP)
Priority Data:
Title (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
Abstract: front page image
(EN)To provide a charged particle beam device that can improve machining position precision in section processing using a shielding plate, the present invention is a charged particle beam device which has: an ion source (101); a sample stand (106) on which a sample (107) is mounted; a shielding plate (108) placed so that a portion of the sample (107) is exposed when seen from the ion source (101); and tilt units (123, 124) that tilt the sample (107) and the shielding plate (108) relative to the irradiation direction of an ion beam (102) from the ion source (101) to the sample (107).
(FR)Pour fournir un dispositif à faisceau de particules chargées qui peut améliorer la précision de position d'usinage dans un traitement de section à l'aide d'une plaque de blindage, la présente invention est un dispositif à faisceau de particules chargées qui comporte : une source d'ions (101) ; un support d'échantillon (106) sur lequel est monté un échantillon (107) ; une plaque de blindage (108) placée de telle sorte qu'une partie de l'échantillon (107) est exposée lorsqu'elle est vue depuis la source d'ions (101) ; et des unités d'inclinaison (123, 124) qui inclinent l'échantillon (107) et la plaque de blindage (108) par rapport à la direction d'irradiation d'un faisceau d'ions (102) de la source d'ions (101) vers l'échantillon (107).
(JA)遮蔽板を用いた断面加工において、加工位置精度を向上可能な荷電粒子線装置を提供するために、イオン源(101)と、試料(107)が載置される試料台(106)と、イオン源(101)から見て試料(107)の一部が露出するように配置される遮蔽板(108)と、イオン源(101)からのイオンビーム(102)の試料(107)への照射方向に対し、試料(107)及び遮蔽板(108)を相対的にチルトさせるチルト部(123、124)と、を有する荷電粒子線装置とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)