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1. (WO2018027073) WAFER-SCALE PROGRAMMABLE FILMS FOR SEMICONDUCTOR PLANARIZATION AND FOR IMPRINT LITHOGRAPHY
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Pub. No.:    WO/2018/027073    International Application No.:    PCT/US2017/045373
Publication Date: 08.02.2018 International Filing Date: 03.08.2017
IPC:
B05D 1/02 (2006.01), B05D 1/26 (2006.01), B05D 1/34 (2006.01), B05D 1/40 (2006.01), B29C 45/76 (2006.01), B29C 59/02 (2006.01), B29C 59/16 (2006.01)
Applicants: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street Austin, TX 78701 (US)
Inventors: SREENIVASAN, Sidlgata, V.; (US).
SINGHAL, Shrawan; (US).
ABED, Ovadia; (US).
DUNN, Lawrence; (US)
Agent: VOIGT, Robert, A.; (US)
Priority Data:
62/370,259 03.08.2016 US
Title (EN) WAFER-SCALE PROGRAMMABLE FILMS FOR SEMICONDUCTOR PLANARIZATION AND FOR IMPRINT LITHOGRAPHY
(FR) FILMS PROGRAMMABLES À L'ÉCHELLE DE LA TRANCHE POUR LA PLANARISATION DE SEMICONDUCTEURS ET POUR LA LITHOGRAPHIE PAR IMPRESSION
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating patterns. An inverse optimization scheme is implemented to determine process parameters used to obtain a desired film thickness of a liquid resist formulation, where the liquid resist formulation includes a solvent and one or more non-solvent components. A substrate is covered with a substantially continuous film of the liquid resist formulation using one or more of the following techniques: dispensing discrete drops of a diluted monomer on the substrate using an inkjet and allowing the dispensed drops to spontaneously spread and merge, slot die coating and spin-coating. The liquid resist formulation is diluted in the solvent. The solvent is then substantially evaporated from the liquid resist formulation forming a film. A gap between a template and the substrate is then closed. The film is cured to polymerize the film and the substrate is separated from the template leaving the polymerized film on the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de motifs. Un schéma d'optimisation inverse est appliqué pour déterminer des paramètres de procédé utilisés pour obtenir une épaisseur de film souhaitée d'une formulation de réserve liquide, la formulation de réserve liquide comprenant un solvant et un ou plusieurs composants non solvant. Un substrat est recouvert d'un film sensiblement continu de la formulation de réserve liquide à l'aide d'une ou plusieurs des techniques suivantes : répartition de gouttes discrètes d'un monomère dilué sur le substrat à l'aide d'un jet d'encre en permettant aux gouttes réparties de s'étaler et de fusionner spontanément, revêtement par filière plate et revêtement par centrifugation. La formulation de réserve liquide est diluée dans le solvant. Le solvant est ensuite largement évaporé de la formulation de réserve liquide pour former un film. Un espace entre une matrice et le substrat est ensuite fermé. Le film est durci pour polymériser le film et le substrat est séparé de la matrice en laissant le film polymérisé sur le substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)