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1. (WO2018026475) APPARATUS AND METHOD FOR ENDURANCE FRIENDLY PROGRAMMING USING LOWER VOLTAGE THRESHOLDS
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Pub. No.:    WO/2018/026475    International Application No.:    PCT/US2017/041603
Publication Date: 08.02.2018 International Filing Date: 11.07.2017
IPC:
G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01), G11C 16/26 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: WU, Wei; (US).
ZOU, Yi; (US).
KHAN, Jawad B.; (US).
GUO, Xin; (US)
Agent: VICTOR, David W.; (US)
Priority Data:
15/228,699 04.08.2016 US
Title (EN) APPARATUS AND METHOD FOR ENDURANCE FRIENDLY PROGRAMMING USING LOWER VOLTAGE THRESHOLDS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION PLUS RÉSISTANT À L'AIDE DE SEUILS DE NIVEAUX PLUS BAS
Abstract: front page image
(EN)Provided are a method and apparatus for endurance friendly programming using lower voltage thresholds. A non-volatile memory has storage cells organized as pages programmed using a first number of threshold voltage levels. The storage cells are organized into storage cell groups to which data is written. Each storage cell group is programmed to store a first number of bits of information. A memory controller selects a second number of bits of information from pages less than the first number of bits of information. The memory controller programs the storage cells of the storage cell group using threshold voltage levels from a second number of threshold voltage levels, wherein the second number of threshold voltage levels is less than the first number of threshold voltage levels and comprises a lowest of the first number of threshold voltage levels.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un appareil pour une programmation plus résistante à l'aide de seuils de tension plus bas. Une mémoire non volatile a des cellules de stockage organisées sous forme de pages programmées à l'aide d'un premier nombre de niveaux de tension de seuil. Les cellules de stockage sont organisées en des groupes de cellules de stockage vers lesquels des données sont écrites. Chaque groupe de cellules de stockage est programmé pour stocker un premier nombre de bits d'informations. Un contrôleur de mémoire sélectionne un second nombre de bits d'informations à partir de pages inférieures au premier nombre de bits d'informations. Le contrôleur de mémoire programme les cellules de stockage du groupe de cellules de stockage à l'aide de niveaux de tension de seuil à partir du second nombre de niveaux de tension de seuil, le second nombre de niveaux de tension de seuil étant inférieur au premier nombre de niveaux de tension de seuil et comprend un niveau le plus bas du premier nombre de niveaux de tension de seuil.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)