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1. (WO2018025911) SIC HEATER
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Pub. No.:    WO/2018/025911    International Application No.:    PCT/JP2017/028028
Publication Date: 08.02.2018 International Filing Date: 02.08.2017
IPC:
H05B 3/14 (2006.01), C03C 3/06 (2006.01), C03C 3/085 (2006.01), C03C 3/087 (2006.01), C03C 3/089 (2006.01), C03C 3/091 (2006.01), C04B 35/569 (2006.01), C04B 41/86 (2006.01), H05B 3/12 (2006.01), H05B 3/20 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 6-28, Rokuban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028465 (JP)
Inventors: NAGATOMO Hiroaki; (JP).
UCHIKAWA Yuki; (JP).
MURAKAMI Yoshihiko; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; (JP).
TAKAHASHI Norio; (JP).
SUZUKI Mitsuyoshi; (JP)
Priority Data:
2016-151911 02.08.2016 JP
Title (EN) SIC HEATER
(FR) DISPOSITIF DE CHAUFFAGE EN CARBURE DE SILICIUM (SIC)
(JA) SiCヒーター
Abstract: front page image
(EN)This SiC heater is provided with: a heating element which comprises a silicon carbide sintered body in the form of a thin plate and an insulating coating film formed on the surface of the silicon carbide sintered body; a pair of electrodes for having an electric current pass through the heating element; and a heater base which holds the heating element from one surface side, while blocking the heat from the heating element. The insulating coating film is arranged on a surface of the silicon carbide sintered body, said surface being on the reverse side of the heater base-side surface, and has an electric specific resistance at room temperature of 109 Ω·cm or more and a thermal expansion coefficient of from 2 × 10-6/K to 6 × 10-6/K (inclusive). The insulating coating film uses SiO2 as a matrix, and contains 1% by weight to 35% by weight (inclusive) of a first additive component that contains at least one of B2O3 and Al2O3 and 1% by weight to 35% by weight (inclusive) of a second additive component that contains at least one of MgO and CaO.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de chauffage en SiC qui est pourvu : d'un élément chauffant qui comprend un corps fritté en carbure de silicium sous la forme d'une plaque mince et un film de revêtement isolant, formé sur la surface dudit corps fritté ; d'une paire d'électrodes servant au passage d'un courant électrique dans l'élément chauffant ; d'une base de dispositif de chauffage qui porte l'élément chauffant depuis un côté de surface tout en bloquant la chaleur provenant de l'élément chauffant. Le film de revêtement isolant est disposé sur une surface du corps fritté en carbure de silicium, ladite surface se trouvant sur le côté opposé de la surface côté base du dispositif de chauffage, et présente une résistance électrique spécifique, à la température ambiante, supérieure ou égale à 109 Ω·cm et un coefficient de dilatation thermique compris entre 2 × 10-6/K et 6 × 10-6/K (inclus). Le film de revêtement isolant utilise du SiO2 comme matrice et contient entre 1 à 35 % en poids (inclus) d'un premier constituant additif qui contient du B2O3 et/ou de l'Al2O3, et 1 à 35 % en poids (inclus) d'un second constituant additif qui contient du MgO et/ou du CaO.
(JA)このSiCヒーターは、薄板状の炭化珪素焼結体と前記炭化珪素焼結体の表面に形成された絶縁被膜とを有する発熱体と、前記発熱体に通電するための一対の電極と、前記発熱体からの熱を断熱しつつ前記発熱体を一面側から保持するヒーターベースと、を備え、前記絶縁被膜は、前記炭化珪素焼結体の前記ヒーターベースと反対側の面に位置し、常温での電気比抵抗が10Ω・cm以上であり、熱膨張率が2×10-6/K以上6×10-6/K以下であり、SiOをマトリックスとし、BおよびAlの少なくとも1つを含む第1の添加成分を1重量%以上35重量%以下含有し、MgOおよびCaOの少なくとも1つを含む第2の添加成分を1重量%以上35重量%以下含有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)