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1. (WO2018024595) METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
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Pub. No.: WO/2018/024595 International Application No.: PCT/EP2017/068979
Publication Date: 08.02.2018 International Filing Date: 27.07.2017
IPC:
G02B 6/132 (2006.01) ,G02B 6/136 (2006.01)
Applicants: SOITEC[FR/FR]; Parc Technologique des fontaines chemin Des Franques 38190 Bernin, FR
Inventors: NGUYEN, Bich-Yen; US
GAUDIN, Gweltaz; FR
Agent: GRÜNECKER PATENT- UND RECHTSANWÄLTE PARTG MBB; Leopoldstrasse 4 80802 München, DE
Priority Data:
165757504.08.2016FR
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE
Abstract: front page image
(EN) The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor structure and to a photonic device, wherein the method comprising the steps of: providing a silicon nitride patterned layer (102) over a carrier substrate (101); providing a first layer of a conformal oxide (103) on the silicon nitride patterned layer (102) such that it fully covers said silicon nitride patterned layer; and planarizing the first layer of conformal oxide (103) to a predetermined thickness above the silicon nitride patterned layer (102) to form a planarizing oxide layer (103'). After the step of planarizing the first layer of conformal oxide (103), the method further comprises steps of clearing the silicon nitride patterned layer (102) to form a dished silicon nitride patterned layer (102 ) with a dishing height; and, subsequently, providing a second layer of a conformal oxide (104) on or over the dished silicon nitride layer (102').
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice et un dispositif photonique, le procédé comprenant les étapes consistant à: à fournir une couche à motifs en nitrure de silicium (102) sur un substrat de support (101); à fournir une première couche d'un oxyde conforme (103) sur la couche à motifs en nitrure de silicium (102) de sorte qu'elle recouvre totalement ladite couche à motifs en nitrure de silicium; et à planariser la première couche d'oxyde conforme (103) à une épaisseur prédéterminée au-dessus de la couche à motifs en nitrure de silicium (102) pour former une couche d'oxyde de planarisation (103'). Après l'étape de planarisation de la première couche d'oxyde conforme (103), le procédé comprend en outre les étapes consistant à nettoyer la couche à motifs en nitrure de silicium (102) pour former une couche à motifs en nitrure de silicium concave (102 ) avec une hauteur de bombage; et, par la suite, à fournir une seconde couche d'un oxyde conforme (104) sur ou au-dessus de la couche de nitrure de silicium concave (102').
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)