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1. (WO2018024032) THIN FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
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Pub. No.: WO/2018/024032 International Application No.: PCT/CN2017/087716
Publication Date: 08.02.2018 International Filing Date: 09.06.2017
IPC:
H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD.[CN/CN]; No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventors: HSU, Chen-Ke; CN
SHI, Junpeng; CN
SHAO, Xiaojuan; CN
LIN, Kechuang; CN
Priority Data:
201610636215.105.08.2016CN
Title (EN) THIN FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) FILM MINCE POUR DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法
Abstract: front page image
(EN) Provided are a thin film for semiconductor devices, and semiconductor device manufacturing method. The thin film (200) comprises a substrate and an adhesive layer disposed on the substrate, and is characterized in that the thin film (200) is predetermined to have an adhesion region (200A) and an expansion region (200B), the elastic modulus of the expansion region (200B) is smaller than the elastic modulus of the adhesion region (200A), and when a stretching force is applied on the film (200), the expansion region (200B) is more likely to generate tensile deformation than the adhesion region (200A). The thin film (200) of the present invention ensures uniform and ordered arrangement of devices on the thin film (200) during film expansion for semiconductor devices.
(FR) L'invention concerne un film mince pour dispositifs à semi-conducteur, et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Le film mince (200) comprend un substrat et une couche adhésive disposée sur le substrat, et est caractérisé en ce que le film mince (200) est prédéterminée pour avoir une région d'adhésion (200A) et une région d'expansion (200B), le module d'élasticité de la région d'expansion (200B) est inférieure au module élastique de la région d'adhésion (200A), et lorsqu'une force d'étirement est appliquée sur le film (200), la région d'expansion (200B) est plus susceptible de générer une déformation à la traction que la région d'adhésion (200A). Le film mince (200) de la présente invention assure un agencement uniforme et ordonné des dispositifs sur le film mince (200) pendant la dilatation du film pour des dispositifs à semi-conducteurs.
(ZH) 提供了一种用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法,所述薄膜(200)包括基材和设置于所述基材上的粘合层,其特征在于:所述薄膜(200)预设为粘贴区(200A)和扩展区(200B),所述扩展区(200B)的弹性模量小于所述粘贴区(200A)的弹性模量,当对所述薄膜(200)施以一拉伸力时,所述扩展区(200B)比所述粘贴区(200A)更容易产生拉伸形变。采用该薄膜(200)进行半导体器件扩膜时,可保证器件均匀、有序排列于薄膜(200)上。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)