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1. (WO2018023955) ARRAY SUBSTRATE OF OLED DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2018/023955 International Application No.: PCT/CN2017/071033
Publication Date: 08.02.2018 International Filing Date: 13.01.2017
IPC:
H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventors: SHI, Longqiang; CN
Agent: YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU Dajian/WANG Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052, CN
Priority Data:
201610630351.X03.08.2016CN
Title (EN) ARRAY SUBSTRATE OF OLED DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE À OLED, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) OLED显示装置的阵列基板及其制造方法
Abstract: front page image
(EN) An array substrate of an OLED display device and a manufacturing method therefor, these being capable of making thin film transistors with different functions have respectively required electrical properties. The array substrate successively comprises a base substrate (30), a semiconductor layer, a first insulation layer (31), a first metal layer, a second insulation layer (32), a second metal layer and a third insulation layer (33) from bottom to top. A plurality of drive units are formed on the array substrate, and each drive unit comprises a first thin film transistor (T1) and a second thin film transistor (T2).
(FR) Un substrat de réseau d'un dispositif d'affichage à OLED et son procédé de fabrication, ceux-ci étant capables de fabriquer des transistors à couches minces ayant des fonctions différentes ont respectivement les propriétés électriques requises. Le substrat de réseau comprend successivement un substrat de base (30), une couche semi-conductrice, une première couche d'isolation (31), une première couche métallique, une deuxième couche isolante (32), une deuxième couche métallique et une troisième couche isolante (33) du bas vers le haut. Une pluralité d'unités d'entraînement sont formées sur le substrat de réseau, et chaque unité d'entraînement comprend un premier transistor à film mince (T1) et un second transistor à film mince (T2).
(ZH) 一种OLED显示装置的阵列基板及其制造方法,能够使不同功能的薄膜晶体管具备各自所需的电学特性。该阵列基板由下至上依次包括衬底基板(30)、半导体层、第一绝缘层(31)、第一金属层、第二绝缘层(32)、第二金属层、第三绝缘层(33)。阵列基板上形成有多个驱动单元,每个驱动单元中包括第一薄膜晶体管(T1)和第二薄膜晶体管(T2)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)