WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018023027) LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE WITH REFLECTIVE SIDE COATING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/023027    International Application No.:    PCT/US2017/044428
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 28.07.2017
IPC:
H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/64 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/54 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01)
Applicants: LUMILEDS LLC [US/US]; 370 West Trimble Road San Jose, California 95131 (US)
Inventors: LAW, Ruen-Ching; (US).
HIN, Tze-Yang; (US)
Agent: DONCH JR., John C.; (US)
Priority Data:
62/368,067 28.07.2016 US
16190895.9 27.09.2016 EP
15/661,196 27.07.2017 US
Title (EN) LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE WITH REFLECTIVE SIDE COATING
(FR) BOÎTIER DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À REVÊTEMENT LATÉRAL RÉFLÉCHISSANT
Abstract: front page image
(EN)A light-emitting device is disclosed that includes a semiconductor structure having an active region disposed between an n-type layer and a p-type layer; a wavelength converter formed above the semiconductor structure; an insulating side coating formed around the semiconductor structure; and a reflective side coating formed around the wavelength converter above the insulating side coating, the reflective side coating having a top surface that is flush with a top surface of the wavelength converter.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent comprenant une structure semi-conductrice présentant une zone active disposée entre une couche de type n et une couche de type p ; un convertisseur de longueur d'onde formé au-dessus de la structure semi-conductrice ; un revêtement latéral isolant formé autour de la structure semi-conductrice ; et un revêtement latéral réfléchissant formé autour du convertisseur de longueur d'onde au-dessus du revêtement latéral isolant, le revêtement latéral réfléchissant présentant une surface supérieure qui est en affleurement avec une surface supérieure du convertisseur de longueur d'onde.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)