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1. (WO2018022244) STANDARD CELL CIRCUITS EMPLOYING HIGH ASPECT RATIO VOLTAGE RAILS FOR REDUCED RESISTANCE
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Pub. No.:    WO/2018/022244    International Application No.:    PCT/US2017/039870
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 29.06.2017
Chapter 2 Demand Filed:    16.04.2018    
IPC:
H01L 27/02 (2006.01), G06F 17/50 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01), H01L 27/118 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: XU, Jeffrey, Junhao; (US).
BADAROGLU, Mustafa; (US).
YANG, Da; (US).
CHIDAMBARAM, Periannan; (US)
Agent: AYCOCK, Bradley, R.; (US).
DAVENPORT, Taylor, M.; (US)
Priority Data:
62/367,230 27.07.2016 US
15/634,039 27.06.2017 US
Title (EN) STANDARD CELL CIRCUITS EMPLOYING HIGH ASPECT RATIO VOLTAGE RAILS FOR REDUCED RESISTANCE
(FR) CIRCUITS INTÉGRÉS PRÉCARACTÉRISÉS UTILISANT DES RAILS DE TENSION À FACTEUR DE FORME ÉLEVÉ POUR RÉDUIRE LA RÉSISTANCE
Abstract: front page image
(EN)Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance are disclosed.In one aspect, a standard cell circuit is provided that employs a first high aspect ratio voltage rail configured to receive a first supply voltage.A second high aspect ratio voltage rail is employed that is disposed substantially parallel to the first high aspect ratio voltage rail.A voltage differential between the first and second high aspect ratio voltage rails is used to power a circuit device in the standard cell circuit. The first and second high aspect ratio voltage rails each have a height-to-width ratio greater than 1.0.The height of each respective first and second high aspect ratio voltage rail is greater than each respective width. Employing the first and second high aspect ratio voltage rails allows each to have a cross-sectional area that limits the resistance and corresponding IR drop.
(FR)L'invention concerne des circuits intégrés précaractérisés utilisant des rails de tension à facteur de forme élevé pour réduire la résistance. Dans un aspect, l'invention concerne un circuit intégré précaractérisé qui utilise : un premier rail de tension à facteur de forme élevé, configuré pour recevoir une première tension d'alimentation ; un second rail de tension à facteur de forme élevé, qui est placé de façon sensiblement parallèle au premier rail de tension à facteur de forme élevé. Un différentiel de tension entre le premier et le second rail de tension à facteur de forme élevé, est utilisé pour alimenter un dispositif de circuit dans le circuit intégré précaractérisé. Les premier et second rails de tension à facteur de forme élevé comportent chacun un rapport hauteur-largeur supérieur à 1. La hauteur respective de chaque premier et second rail de tension respectif à facteur de forme élevé est supérieure à chaque largeur respective. L'utilisation du premier et du second rail de tension à facteur de forme élevé permet à chaque rail de présenter une section transversale qui limite la résistance ainsi que la chute de tension ohmique correspondante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)