WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018022027) ARRAY INTERCONNECTS FOR RRAM DEVICES AND METHODS OF FABRICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/022027 International Application No.: PCT/US2016/044112
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 26.07.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors: SHAH, Uday; US
KARPOV, Elijah V.; US
MAJHI, Prashant; US
PILLARISETTY, Ravi; US
MUKHERJEE, Niloy; US
CLARKE, James S.; US
INDUKURI, Tejaswi K.; US
ATANASOV, Sarah E.; US
Agent: BRASK, Justin, K.; US
Priority Data:
Title (EN) ARRAY INTERCONNECTS FOR RRAM DEVICES AND METHODS OF FABRICATION
(FR) INTERCONNEXIONS DE BARRETTES POUR DISPOSITIFS RRAM ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN) In an embodiment, a resistive random access memory cell includes a plurality of conductive interconnects disposed in a first dielectric layer above a substrate. A plurality of RRAM devices is disposed in a second dielectric layer and each of the RRAM devices are coupled to a corresponding one of the plurality of conductive interconnects. A dielectric spacer surrounds each of the plurality of RRAM devices and extends from a bottom most surface of the second dielectric layer to an uppermost surface of the second dielectric layer. An interconnect is disposed in a trench of a third dielectric layer and coupled to the plurality of RRAM devices. The interconnect includes a diffusion barrier layer disposed at a bottom of and along sidewalls of the trench and a conductive fill layer disposed on the diffusion barrier layer. Uppermost surfaces of the conductive fill layer and the diffusion barrier layer are coplanar.
(FR) Selon un mode de réalisation, l’invention concerne une cellule de mémoire vive résistive qui inclut une pluralité d’interconnexions conductrices disposées dans une première couche diélectrique au-dessus d’un substrat. Une pluralité de dispositifs RRAM est disposée dans une deuxième couche diélectrique et chacun des dispositifs RRAM est couplé à une interconnexion correspondante de la pluralité d’interconnexions conductrices. Une entretoise diélectrique entoure chaque dispositif de la pluralité de dispositifs RRAM et s’étend d’une surface la plus inférieure de la deuxième couche diélectrique à une surface la plus supérieure de la deuxième couche diélectrique. Une interconnexion est disposée dans une tranchée d’une troisième couche diélectrique et couplée à la pluralité de dispositifs RRAM. L’interconnexion inclut une couche de barrière de diffusion disposée dans un fond et le long de parois latérales de la tranchée et une couche de remplissage conductrice disposée sur la couche de barrière de diffusion. Des surfaces les plus supérieures de la couche de remplissage conductrice et de la couche de barrière de diffusion sont coplanaires.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)