WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018021654) THIN FILM DEPOSITION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/021654 International Application No.: PCT/KR2017/003498
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 30.03.2017
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,C07C 211/04 (2006.01) ,C07C 211/05 (2006.01) ,C07C 211/08 (2006.01) ,C07F 5/06 (2006.01)
Applicants: EUGENETECH MATERIALS CO., LTD[KR/KR]; (Yeongtong innoplex, Woncheon-dong) 3-507, 304, Sinwon-ro Yeongtong-gu, Suwon-si Gyeonggi-do 16675, KR
Inventors: LEE, Geun-Su; KR
Agent: JEONG, Seong-Jin; KR
Priority Data:
10-2016-009693829.07.2016KR
Title (EN) THIN FILM DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHES MINCES
(KO) 박막 증착 방법
Abstract: front page image
(EN) According to one embodiment of the present invention, a thin film deposition method, which deposits, on a substrate, a thin film containing a metal element by atomic layer deposition (ALD), comprises: a substrate supply step of supplying, to a deposition chamber, the substrate comprising an oxide film having a passivation film formed thereon; a first adsorption step of adsorbing, onto the oxide film, a precursor containing a metal element by supplying the precursor containing a metal element to the deposition chamber; a substitution step of substituting a ligand of the precursor, which contains a metal element, adsorbed in the first adsorption step, by supplying a compound for ligand substitution to the deposition chamber; a second adsorption step of selectively adsorbing, onto the oxide film, the precursor containing a metal element by supplying the precursor containing a metal element to the deposition chamber; and a reaction gas supply step of mixing any one or more reaction gases selected from oxygen, water vapor, and ozone and supplying the same to the deposition chamber, wherein the first adsorption step, the substitution step, the second adsorption step, and the reaction gas supply step constitute a cycle and a plurality of cycles thereof are carried out.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé de dépôt de couches minces qui permet de déposer, sur un substrat, une couche mince contenant un élément métallique par dépôt de couche atomique (ALD), et qui comprend les étapes suivantes : la fourniture, à une chambre de dépôt, d'un substrat comportant une couche d'oxyde sur laquelle est formée une couche de passivation ; une première adsorption qui permet d'adsorber, sur la couche d'oxyde, un précurseur contenant un élément métallique par fourniture dudit précurseur à la chambre de dépôt ; la substitution d'un ligand du précurseur, qui contient un élément métallique, adsorbé dans la première étape d'adsorption, par fourniture d'un composé à la chambre de dépôt en vue de la substitution du ligand ; une seconde adsorption qui permet d'adsorber sélectivement, sur la couche d'oxyde, ledit précurseur par fourniture de ce dernier à la chambre de dépôt ; l'alimentation en gaz de réaction qui consiste à mélanger au moins un gaz de réaction choisi parmi l'oxygène, la vapeur d'eau et l'ozone, puis à fournir ledit gaz à la chambre de dépôt, la première étape d'adsorption, l'étape de substitution, la seconde étape d'adsorption et l'étape d'alimentation en gaz de réaction constituant un cycle, et une pluralité de cycles correspondants étant exécutés.
(KO) 본 발명의 일 실시예에 의한 원자층 증착(ALD)에 의해 기판상에 금속원소를 포함하는 박막을 증착하는 박막 증착 방법은, 페시베이션막이 형성된 산화막을 구비하는 상기 기판을 증착 챔버에 공급하는 기판공급단계; 상기 증착 챔버에 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 흡착시키는 제1 흡착단계; 상기 증착 챔버에 리간드 치환용 화합물을 공급하여 상기 제1 흡착단계에서 흡착된 상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시키는 치환단계; 상기 증착 챔버에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 선택적으로 흡착시키는 제2 흡착단계; 및 산소, 수증기 및 오존 중에서 선택된 어느 하나 이상의 반응가스를 혼합하여 상기 증착 챔버에 공급하는 반응가스 공급단계를 포함하며, 상기 제1 흡착단계, 상기 치환단계, 상기 제2 흡착단계 및 반응가스 공급단계가 주기를 구성하여 복수의 주기로 수행된다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)