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1. (WO2018021594) HIGH-SPEED LARGE-CURRENT LIGHT-TRIGGERING POWER SWITCHING DEVICE USING VO2 OXIDE SEMICONDUCTOR
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Pub. No.: WO/2018/021594 International Application No.: PCT/KR2016/008268
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 28.07.2016
IPC:
H01H 9/54 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: TERALEADER.INC.[KR/KR]; 2nd Floor, 55-8, Techno 11-ro Yuseong-gu Daejeon 34036, KR
Inventors: HAN, Seok-kill; KR
KANG, Dae Joon; KR
Agent: PUKYUNG INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM; Daehan Tower Bldg.6th floor, 12, Beobwonnam-ro 15beon-gil Yeonje-gu Busan 47511, KR
Priority Data:
10-2016-009516627.07.2016KR
Title (EN) HIGH-SPEED LARGE-CURRENT LIGHT-TRIGGERING POWER SWITCHING DEVICE USING VO2 OXIDE SEMICONDUCTOR
(FR) DISPOSITIF DE COMMUTATION DE PUISSANCE DE DÉCLENCHEMENT DE LUMIÈRE À GRANDE VITESSE ET À COURANT FORT UTILISANT UN SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE VO 2
(KO) ⅤO₂산화물 반도체를 이용한 고속 대전류 광 트리거링 전력 스위칭 장치
Abstract: front page image
(EN) The present invention relates to a power switching device using an oxide semiconductor and, more particularly, to a high-speed large-current light-triggering power switching device using a VO2 oxide semiconductor element, wherein a cooling module is provided to cool a VO2 oxide semiconductor, which has an excellent current density and an excellent switching rate, to a predetermined temperature or less such that the same performs a smooth power switching operation. The present invention, described as above, provides, as a technical gist, a high-speed large-current light-triggering power switching device using a VO2 oxide semiconductor, characterized by comprising: a switching unit module comprising a substrate, a VO2 oxide semiconductor formed on the upper portion of the substrate so as to undergo a phase transition from a metal to an insulator by means of a laser, thereby switching power, a source connected to one side of the VO2 oxide semiconductor, and a drain connected to the other side of the VO2 oxide semiconductor and spaced from the source so as to face the same; a light-gating module provided on one side of the switching unit module so as to emit the laser to the VO2 oxide semiconductor such that the same undergoes a phase transition from a metal to an insulator; and a cooling module comprising a heat-radiating plate provided on the lower portion of the substrate and a cooling means provided on one side of the heat-radiating plate so as to maintain a constant temperature of the switching unit module such that the VO2 oxide semiconductor undergoes a phase transition by means of the laser.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de commutation de puissance utilisant un semi-conducteur à oxyde et, plus particulièrement, à un dispositif de commutation de puissance de déclenchement de lumière à grande vitesse et à courant fort utilisant un élément semi-conducteur d'oxyde VO 2 , un module de refroidissement étant prévu pour refroidir un semi-conducteur d'oxyde VO 2 , qui a une excellente densité de courant et une excellente vitesse de commutation, à une température prédéterminée ou moins, de telle sorte que celle-ci effectue une opération de commutation de puissance lisse. La présente invention, décrite ci-dessus, fournit, en tant que technique essentielle, un dispositif de commutation de puissance de déclenchement de lumière à grande vitesse et à courant fort utilisant un semi-conducteur à oxyde VO 2 , caractérisé en ce qu'il comprend: un module d'unité de commutation comprenant un substrat, un semi-conducteur à oxyde VO 2 formé sur la portion supérieure du substrat de façon à subir une transition de phase d'un métal à un isolant au moyen d'un laser, commutant ainsi la puissance, une source connectée à un côté du semi-conducteur à oxyde VO 2 , et un drain relié à l'autre côté du semi-conducteur à oxyde VO 2 et espacé de la source de manière à faire face à celui-ci; un module de déclenchement de lumière disposé sur un côté du module d'unité de commutation de façon à émettre le laser vers le semi-conducteur à oxyde VO 2 de sorte que celui-ci subisse une transition de phase d'un métal à un isolant; et un module de refroidissement comprenant une plaque de rayonnement de chaleur disposée sur la portion inférieure du substrat et un moyen de refroidissement disposé sur un côté de la plaque de rayonnement de chaleur de façon à maintenir une température constante du module d'unité de commutation de telle sorte que le semi-conducteur à oxyde de VO 2 subisse une transition de phase au moyen du laser.
(KO) 본 발명은 산화물 반도체를 이용한 전력 스위칭 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 우수한 전류 밀도와 스위칭 속도를 가지는 ⅤO 산화물 반도체가 원활하게 전력 스위칭 동작을 하도록 일정온도로 냉각시키는 냉각모듈이 구비된 ⅤO산화물 반도체 소자를 이용한 고속 대전류 광 트리거링 전력 스위칭 장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되어 레이저에 의해 금속에서 절연체로 상전이 되어 전력을 스위칭하는 ⅤO산화물 반도체와, 상기 ⅤO산화물 반도체의 일측에 연결되는 소스와, 상기 ⅤO산화물 반도체의 타측에 연결되고 상기 소스와 대향되게 이격되는 드레인으로 이루어진 스위칭단위모듈; 상기 스위칭단위모듈의 일측에 구비되어 상기 ⅤO산화물 반도체에 상기 레이저를 조사하여 금속에서 절연체로 상전이 되도록 하는 광게이팅모듈; 및 상기 기판의 하부에 구비된 방열판과, 상기 방열판의 일측에 구비되어 상기 스위칭단위모듈의 온도를 일정하게 유지시켜 상기 ⅤO산화물 반도체의 상전이가 상기 레이저에 의해서 일어나도록 하는 냉각수단으로 이루어진 냉각모듈;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 ⅤO산화물 반도체를 이용한 고속 대전류 광 트리거링 전력 스위칭 장치를 기술적 요지로 한다.
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Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)