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1. (WO2018021247) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING TFT SUBSTRATE
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Pub. No.:    WO/2018/021247    International Application No.:    PCT/JP2017/026713
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 24.07.2017
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01Q 3/34 (2006.01), H01Q 3/44 (2006.01), H01Q 13/22 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: MISAKI Katsunori; (--)
Agent: OKUDA Seiji; (JP)
Priority Data:
2016-150287 29.07.2016 JP
Title (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE À BALAYAGE POURVUE D'UN SUBSTRAT TFT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)This TFT substrate comprises: a gate metal layer that contains a gate electrode (3) of a TFT (10); a gate insulating layer (4) that is formed on the gate metal layer; and a source metal layer that is formed on the gate insulating layer and contains a source electrode (7S) and a drain electrode (7D) of the TFT and a patch electrode (7PE). The source metal layer comprises; a first metal layer that contains one of Ti, Mo, Ta, W and Nb; and a second metal layer that is formed on the first metal layer and contains one of Cu, Al, Ag and Au. The source electrode and the drain electrode contain the first metal layer and the second metal layer. The distance between the first metal layer (7SL) of the source electrode and the first metal layer (7DL) of the drain electrode in the channel direction is shorter than the distance between the second metal layer (7SU) of the source electrode and the second metal layer (7DU) of the drain electrode in the channel direction.
(FR)Ce substrat TFT comprend : une couche de métal de grille qui contient une électrode de grille (3) d'un TFT (10); une couche d'isolation de grille (4) qui est formée sur la couche de métal de grille; et une couche métallique de source qui est formée sur la couche d'isolation de grille et qui contient une électrode de source (7S) et une électrode de drain (7D) du TFT et une électrode patch (7PE) La couche métallique de source comprend : une première couche métallique qui contient l'un des éléments suivants : Ti, Mo, Ta, W et Nb; et une seconde couche métallique qui est formée sur la première couche métallique et qui contient un élément parmi Cu, Al, Ag et Au. L'électrode de source et l'électrode de drain contiennent la première couche métallique et la seconde couche métallique. La distance entre la première couche métallique (7SL) de l'électrode de source et la première couche métallique (7DL) de l'électrode de drain dans la direction du canal est plus courte que la distance entre la seconde couche métallique (7SU) de l'électrode de source et de la seconde couche de métal (7DU) de l'électrode de drain dans la direction DU canal.
(JA)TFT基板は、TFT(10)のゲート電極(3)を含むゲートメタル層と、ゲートメタル層上に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲート絶縁層上に形成され、TFTのソース電極(7S)およびドレイン電極(7D)ならびにパッチ電極(7PE)を含むソースメタル層とを有する。ソースメタル層は、Ti、Mo、Ta、WおよびNbのいずれかを含む第1メタル層と、第1メタル層上に形成され、Cu、Al、AgおよびAuのいずれかを含む第2メタル層とを含む。ソース電極およびドレイン電極は、それぞれ、第1メタル層および第2メタル層を含む。ソース電極の第1メタル層(7SL)とドレイン電極の第1メタル層(7DL)との間のチャネル方向の距離は、ソース電極の第2メタル層(7SU)とドレイン電極の第2メタル層(7DU)との間のチャネル方向の距離よりも小さい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)