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1. (WO2018021105) Cu-Ga SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING Cu-Ga SPUTTERING TARGET
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Pub. No.:    WO/2018/021105    International Application No.:    PCT/JP2017/026073
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 19.07.2017
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), B22F 1/00 (2006.01), C22C 1/04 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), C22C 28/00 (2006.01), C22C 30/02 (2006.01), H01L 31/0749 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventors: UMEMOTO Keita; (JP).
IO Kensuke; (JP).
ZHANG Shoubin; (JP).
SHIONO Ichiro; (JP)
Agent: MATSUNUMA Yasushi; (JP).
TERAMOTO Mitsuo; (JP).
HOSOKAWA Fumihiro; (JP).
ONAMI Kazunori; (JP)
Priority Data:
2016-149404 29.07.2016 JP
2017-050548 15.03.2017 JP
Title (EN) Cu-Ga SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING Cu-Ga SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION DE Cu-Ga ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CIBLE DE PULVÉRISATION DE Cu-Ga
(JA) Cu-Gaスパッタリングターゲット及びCu-Gaスパッタリングターゲットの製造方法
Abstract: front page image
(EN)This Cu-Ga sputtering target has a composition that contains, as a metal component, Ga in an amount of from 5 atom% to 60 atom% (inclusive), while containing at least one additional element selected from the group consisting of K, Rb and Cs in an amount of from 0.01 atom% to 5 atom% (inclusive), with the balance made up of Cu and unavoidable impurities. All or some of the additional element is present in the form of halide particles that contain at least one halogen element selected from the group consisting of F, Cl, Br and I; the maximum particle diameter of the halide particles is set to be 15 μm or less; and the oxygen concentration is set to be 1,000 ppm by mass or less.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation de Cu-Ga comprenant une composition qui contient, en tant qu'élément métallique, du Ga en une quantité de 5 % atomique à 60 % atomique (inclus), tout en contenant au moins un élément supplémentaire choisi dans le groupe constitué de ce qui suit : K, Rb et Cs en une quantité de 0,01 % atomique à 5 % atomique (inclus), le reste étant constitué de Cu et d'impuretés inévitables. L'élément supplémentaire est présent en entier ou en partie sous la forme de particules d'halogénure qui contiennent au moins un élément halogène choisi dans le groupe constitué de ce qui suit : F, Cl, Br et I; le diamètre de particule maximal des particules d'halogénure est défini pour être inférieur ou égal à 15 µm; et la concentration en oxygène est définie pour être inférieure ou égale à 1 000 ppm en masse.
(JA)本発明のCu-Gaスパッタリングターゲットは、金属成分として、Gaを5原子%以上60原子%以下の範囲で含有し、さらにK、Rb、Csからなる群より選ばれる少なくとも1種の添加元素を0.01原子%以上5原子%以下の範囲で含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有し、前記添加元素の全部または一部が、F、Cl、BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも1種のハロゲンを含むハロゲン化物粒子の状態で存在し、前記ハロゲン化物粒子の最大粒子径が15μm以下とされていて、酸素濃度が1000質量ppm以下とされている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)