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1. (WO2018020781) SUBSTRATE JOINING DEVICE AND SUBSTRATE JOINING METHOD USING SAME
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Pub. No.: WO/2018/020781 International Application No.: PCT/JP2017/018187
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 15.05.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES MACHINE TOOL CO., LTD.[JP/JP]; 130, Rokujizo, Ritto-shi, Shiga 5203080, JP
Inventors: UTSUMI, Jun; JP
IDE, Kensuke; JP
SUZUKI, Takenori; JP
GOTO, Takayuki; JP
Agent: MITSUISHI, Toshiro; JP
MITSUISHI, Shumpei; JP
TANAKA, Yasuyuki; JP
MATSUMOTO, Hiroshi; JP
YAMADA, Tetsuzo; JP
Priority Data:
2016-14929629.07.2016JP
Title (EN) SUBSTRATE JOINING DEVICE AND SUBSTRATE JOINING METHOD USING SAME
(FR) DISPOSITIF DE JONCTION DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE JONCTION DE SUBSTRAT UTILISANT CELUI-CI
(JA) 基材接合装置及びこれを使用する基材接合方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a substrate joining device (100), which joins a first substrate (11) comprising at least one among a semiconductor material, a compound semiconductor material, and a metal material, with a second substrate (12), the substrate joining device (100) being provided with: a lower stage (113) for holding the first substrate (11); an upper stage (115) for holding the second substrate (12); a lifting cylinder (114) for vertically moving the upper stage (115); an exhaust pump (116) for evacuating a chamber (111); a gas source (117) for supplying a gas (1) such as Ar into the chamber (111); electrode plates (113a, 115a) and an alternating current power source (118) which generate plasma (2) of the gas (1) between the upper and lower stages (113, 115); and an earth (119) which causes plasma particles (Mp) to collide with the surface of the first substrate (11) and sputtered particles (Ms) from the first substrate (11) to be attached to the surface of the second substrate (12).
(FR) L'invention concerne un dispositif de jonction de substrat (100), qui relie un premier substrat (11) comprenant au moins un matériau parmi un matériau semi-conducteur, un matériau semi-conducteur composé, et un matériau métallique, avec un second substrat (12), le dispositif de jonction de substrat (100) étant pourvu : d'un étage inférieur (113) pour maintenir le premier substrat (11); d'un étage supérieur (115) pour maintenir le second substrat (12); un vérin de levage (114) pour déplacer verticalement l'étage supérieur (115); une pompe d'échappement (116) pour évacuer une chambre (111); une source de gaz (117) pour fournir un gaz (1) tel que Ar dans la chambre (111); des plaques d'électrodes (113a, 115a) et une source d'alimentation en courant alternatif (118) qui génère du plasma (2) du gaz (1) entre les étages supérieur et inférieur (113, 115); et une terre (119) qui amène les particules de plasma (Mp) à entrer en collision avec la surface du premier substrat (11) et des particules pulvérisées (Ms) du premier substrat (11) à fixer à la surface du second substrat (12).
(JA) 半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなる第一の基材(11)と、第二の基材(12)とを接合する基材接合装置(100)であって、第一の基材(11)を保持する下ステージ(113)と、第二の基材(12)を保持する上ステージ(115)と、上ステージ(115)を昇降させる昇降シリンダ(114)と、チャンバ(111)内を排気する排気ポンプ(116)と、チャンバ(111)内にAr等のガス(1)を供給するガス源(117)と、上下ステージ(113,115)間にガス(1)のプラズマ(2)を発生させる電極板(113a,115a)及び交流電源(118)と、プラズマ粒子(Mp)を第一の基材(11)の表面へ衝突させて第一の基材(11)のスパッタ粒子(Ms)を第二の基材(12)の表面に被着させるアース(119)とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)