WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018019669) METHOD FOR MANUFACTURING AN ANNULAR THIN FILM OF SYNTHETIC MATERIAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/019669    International Application No.:    PCT/EP2017/068158
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 18.07.2017
IPC:
C23C 16/27 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01)
Applicants: NEOCOAT SA [CH/CH]; Eplatures-Grise 17 2300 La Chaux-de-Fonds (CH)
Inventors: RATS, David; (CH).
NAAMOUN, Medhi; (CH).
PROVENT, Christophe; (FR)
Agent: BLANCHARD, Eugène; (CH).
HEIBLIG, Loïs; (CH)
Priority Data:
16181774.7 28.07.2016 EP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING AN ANNULAR THIN FILM OF SYNTHETIC MATERIAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN FILM ANNULAIRE FIN DE MATÉRIAU SYNTHÉTIQUE ET DISPOSITIF DE MISE EN ŒUVRE DUDIT PROCÉDÉ
Abstract: front page image
(EN)In the present invention a method is disclosed for producing synthetic material on a substrate by microwave plasma activated chemical vapor deposition. The method comprises the step of providing a microwave plasma reactor configured to provide a plasma having a toroidal shape. The reactor comprises a resonant cavity and a substrate holder arranged to hold, preferably, an annular shaped substrate or a plurality of substrates arranged in an annular configuration. When the reactor is in operation, it forms a plasma which has a toroidal shape and is aligned and proximate to a substrate whereupon a ring of synthetic hard material is grown over the growth surface of the substrate. The invention is also achieved by a plasma reactor that is configured to provide a plasma having a toroidal shape facing at least one substrate to be coated with an annular shaped hard material such as diamond.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’un matériau synthétique sur un substrat par dépôt de vapeur chimique activé par un plasma micro-ondes. Le procédé comprend l’étape consistant à fournir un réacteur à plasma micro-ondes configuré pour fournir un plasma ayant une forme toroïdale. Le réacteur comprend une cavité résonnante et un support de substrat configuré pour maintenir, préférablement, un substrat de forme annulaire ou une pluralité de substrats disposés selon une configuration annulaire. Lorsque le réacteur est en fonctionnement, il forme un plasma qui présente une forme toroïdale et il est aligné et proche d’un substrat sur lequel on fait croître un anneau de matière synthétique dure sur la surface de croissance du substrat. L’invention est également réalisée grâce à un réacteur à plasma qui est configuré pour fournir un plasma ayant une forme toroïdale faisant face à au moins un substrat à enrober d’un matériau dur de forme annulaire tel qu’un diamant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)