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1. (WO2018019037) LIGHT-EMITTING DIODE PROVIDED WITH FULL-MIRROR-SURFACE STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2018/019037 International Application No.: PCT/CN2017/087715
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 09.06.2017
IPC:
H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
10
with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36
characterised by the electrodes
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Applicants:
厦门三安光电有限公司 XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省厦门市 同安区洪塘镇民安大道841-899号 No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventors:
郭桓邵 KUO, Huan Shao; CN
吴俊毅 WU, Chun-Yi; CN
吴超瑜 WU, Chaoyu; CN
王笃祥 WANG, Duxiang; CN
Priority Data:
201610609550.229.07.2016CN
Title (EN) LIGHT-EMITTING DIODE PROVIDED WITH FULL-MIRROR-SURFACE STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE DOTÉE D'UNE STRUCTURE À SURFACE MIROIR COMPLÈTE, ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法
Abstract:
(EN) A light-emitting diode provided with a full-mirror-surface structure, and a preparation method therefor. By using a DBR layer (230) that is epitaxially grown in advance, the DBR layer corresponding to an ohmic contact layer (220) is reserved in a chip process, and a full-mirror-surface structure is formed in combination with an ODR mirror surface system (260, 270), so that the area of the reflection mirror surface has no loss. With respect to structure, the light-emitting diode comprises a light-emitting epitaxial superimposed-layer (240) and a mirror surface system located below the light-emitting epitaxial superimposed-layer (240). The mirror surface system comprises a metal reflection layer (270) and a light transmission layer (260) located above the metal reflection layer (270). The light transmission layer comprises a light transmission region (260a) and a ohmic contact region (260b). The light transmission region is made of a light transmission dielectric material, and the light transmission layer and the metal reflection layer form an ODR reflection mirror. The ohmic contact region sequentially comprises the ohmic contact layer and the DBR layer from the bottom to the top, the DBR layer is formed by at least alternately stacking first semiconductor layers and second semiconductor layers, and accordingly an uninterrupted reflection mirror surface system is formed.
(FR) L'invention porte sur une diode électroluminescente pourvue d'une structure à surface miroir complète, et sur son procédé de préparation. En utilisant une couche DBR (230) qui est formée par épitaxie à l'avance, la couche DBR correspondant à une couche de contact ohmique (220) est réservé dans un processus de puce, et une structure de surface miroir complète est formée en combinaison avec un système de surface miroir ODR (260, 270), de telle sorte que la zone de la surface miroir de réflexion n'aie pas de perte. Par rapport à la structure, la diode électroluminescente comprend une couche superposée épitaxiale électroluminescente (240) et un système de surface miroir situé au-dessous de la couche superposée épitaxiale électroluminescente (240). Le système de surface de miroir comprend une couche de réflexion métallique (270) et une couche de transmission de lumière (260) située au-dessus de la couche de réflexion métallique (270). La couche de transmission de lumière comprend une région de transmission de lumière (260a) et une région de contact ohmique (260b). La région de transmission de lumière est constituée d'un matériau diélectrique de transmission de lumière, et la couche de transmission de lumière et la couche de réflexion métallique forment un miroir de réflexion ODR. La région de contact ohmique comprend séquentiellement la couche de contact ohmique et la couche DBR du bas vers le haut, la couche DBR est formée par empilement au moins en alternance de premières couches semi-conductrices et de secondes couches semi-conductrices, et par conséquent un système de surface de miroir réfléchissant ininterrompu est formé.
(ZH) 一种具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法,利用外延预先成长的DBR层(230),在芯片工艺中再将欧姆接触层(220)对应的DBR层保留,并搭配ODR镜面系统(260,270),构成全镜面结构,达到无反射镜面面积损失,具体结构包括发光外延叠层(240)及位于其下方的镜面系统,镜面系统包括金属反射层(270)和位于其上的透光层(260),透光层包括透光区(260a)和欧姆接触区(260b),透光区由透光性介电材料构成,与金属反射层构成ODR反射镜,欧姆接触区从下到上依次包含欧姆接触层和DBR层,DBR层至少由第一半导体层和第二半导体层交替构成,从而构成一个不间断反射镜面系统。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)