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1. (WO2018018351) METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE
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Pub. No.: WO/2018/018351 International Application No.: PCT/CN2016/091520
Publication Date: 01.02.2018 International Filing Date: 25.07.2016
IPC:
H01L 21/77 (2017.01) ,G02F 1/1362 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Room 320, Overseas High-Tech Venture Park 1, Qinglin West Road, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518172, CN
Inventors: YUAN, Ze; CN
YU, Xiaojun; CN
GUPTA, Amit; CN
WEI, Peng; CN
Agent: GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD.; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, Xianlie Zhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
(ZH) 阵列基板的制造方法
Abstract: front page image
(EN) Disclosed is a method for manufacturing an array substrate. The method comprises: forming a signal transmission line (120) and a gate electrode (130) on a substrate (110), with a gap being provided between the signal transmission line (120) and the gate electrode (130); forming a gate insulation layer (140) and an active layer (150) on the signal transmission line (120) and the gate electrode (130); forming an organic insulation layer (160) on the gate insulation layer (140) and the active layer (150); patterning the organic insulation layer (160) so as to form a through hole (1601) corresponding to the signal transmission line (120); etching, by means of using the patterned organic insulation layer (160) as a mask, the gate insulation layer (140) so as to expose the signal transmission line (120); and forming a first conductive layer (170) on the through hole (1601) so as to conduct the signal transmission line (120). In the method, the array substrate can be manufactured by means of only four photomasks, reducing the photomasks by one compared with the prior art, thereby simplifying the manufacturing process and reducing the manufacturing cost.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de matrice. Le procédé consiste : à former une ligne de transmission de signal (120) et une électrode de grille (130) sur un substrat (110), un espace étant ménagé entre la ligne de transmission de signal (120) et l'électrode de grille (130); à former une couche d'isolation de grille (140) et une couche active (150) sur la ligne de transmission de signal (120) et l'électrode de grille (130); à former une couche d'isolation organique (160) sur la couche d'isolation de grille (140) et la couche active (150); à structurer la couche d'isolation organique (160) de manière à former un trou traversant (1601) correspondant à la ligne de transmission de signal (120); à graver, au moyen de la couche d'isolation organique structurée (160), utilisée comme masque, la couche d'isolation de grille (140) de manière à exposer la ligne de transmission de signal (120); à former une première couche conductrice (170) sur le trou traversant (1601) de manière à conduire la ligne de transmission de signal (120). Dans le procédé, le substrat de matrice peut être fabriqué au moyen de seulement quatre masques, ce qui permet de réduire le nombre des masques de un, par comparaison avec l'état de la technique, ce qui simplifie le processus de fabrication et réduit le coût de fabrication.
(ZH) 一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:在衬底(110)上形成信号传输线(120)以及栅极(130);所述信号传输线(120)和所述栅极(130)之间设有间隙;在所述信号传输线(120)以及所述栅极(130)上形成栅极绝缘层(140)以及有源层(150);在所述栅极绝缘层(140)及所述有源层(150)上形成有机绝缘层(160);图案化所述有机绝缘层(160),形成对应所述信号传输线(120)的贯孔(1601);以图案化的有机绝缘层(160)为掩膜,刻蚀所述栅极绝缘层(140)以露出所述信号传输线(120);在所述贯孔(1601)上形成第一导电层(170)导通所述信号传输线(120),该方法只通过四次光罩就可以完成阵列基板的制备,相对于现有技术减少了一道光罩,简化生产工艺,降低制作成本。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)