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1. (WO2018018026) QUANTUM FILM PIXELS WITH LOW READOUT NOISE
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Pub. No.:    WO/2018/018026    International Application No.:    PCT/US2017/043410
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 21.07.2017
IPC:
H01L 31/113 (2006.01)
Applicants: INVISAGE TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 7979 Gateway Boulevard Suite 240 Newark, CA 94560 (US)
Inventors: BOCK, Nikolai; (US).
MANDELLI, Emanuele; (US).
BEILEY, Zach M.; (US).
PARK, Jae; (US)
Agent: KLIGLER, Daniel; (IL)
Priority Data:
62/365,929 22.07.2016 US
Title (EN) QUANTUM FILM PIXELS WITH LOW READOUT NOISE
(FR) PIXELS DE FILM QUANTIQUE À FAIBLE BRUIT DE LECTURE
Abstract: front page image
(EN)Generally discussed herein are imaging devices and corresponding circuitry and methods of using and making the same. An image sensor device may include pixel circuitry, the pixel circuitry comprising a photosensitive material layer, circuitry including first, second, and third electrodes and a storage device, the first electrode on a first surface of the photosensitive material layer and the second and third electrodes on a second surface of the photosensitive material layer, the first surface opposite the second surface, electrical interconnect circuitry electrically coupling the second electrode and the storage device, and a dielectric material situated between the third electrode and the photosensitive material layer.
(FR)Cette invention concerne en général des dispositifs d'imagerie et sur des circuits correspondants, ainsi que des procédés d'utilisation et de fabrication de ceux-ci. Un dispositif de capteur d'image peut comprendre des circuits de pixels, les circuits de pixels comprenant une couche de matériau photosensible, des circuits comprenant des première, deuxième et troisième électrodes et un dispositif de stockage, la première électrode étant disposée sur une première surface de la couche de matériau photosensible et les deuxième et troisième électrodes étant disposées sur une deuxième surface de la couche de matériau photosensible, la première surface étant opposée à la seconde surface, un circuit d'interconnexion électrique couplant électriquement la deuxième électrode et le dispositif de stockage, et un matériau diélectrique disposé entre la troisième électrode et la couche de matériau photosensible.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)