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1. (WO2018017372) SUPERCONDUCTING DEVICE WITH STRESS REDUCING DUMMY ELEMENTS
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Pub. No.:    WO/2018/017372    International Application No.:    PCT/US2017/041803
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 13.07.2017
IPC:
H01L 39/14 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 27/18 (2006.01)
Applicants: MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC [US/US]; One Microsoft Way Redmond, Washington 98052-6399 (US)
Inventors: RYAN, Vivian W.; (US).
JONES, Eric J.; (US)
Agent: MINHAS, Sandip; (US).
CHEN, Wei-Chen Nicholas; (US).
DRAKOS, Katherine J.; (US).
HINOJOSA, Brianna L.; (US).
HOLMES, Danielle J.; (US).
SWAIN, Cassandra T.; (US).
WONG, Thomas S.; (US).
CHOI, Daniel; (US).
HWANG, William C.; (US).
WIGHT, Stephen A.; (US)
Priority Data:
15/215,479 20.07.2016 US
Title (EN) SUPERCONDUCTING DEVICE WITH STRESS REDUCING DUMMY ELEMENTS
(FR) DISPOSITIF SUPRACONDUCTEUR AVEC ÉLÉMENTS FACTICES RÉDUISANT LA CONTRAINTE
Abstract: front page image
(EN)The proposed superconducting device, compatible with reciprocal quantum logic (RQL) Josephson junction circuits, includes a superconducting element having a first coefficient of thermal expansion formed on a dielectric layer having a different second coefficient of thermal expansion, and at least one dummy element configured to lower stress at an interface between the superconducting element and the dielectric layer when operating in a cryogenic environment. Preferably, the superconducting element is a Nb wire (110, 120, 130, 150) on a SiO2 layer (104), and the dummy elements are protruding nubs (112, 114, 116, 122, 124), passive vias (134, 136) below, or surface features (152) on top of the wire.
(FR)Le dispositif supraconducteur proposé, compatible avec une logique quantique réciproque (RQL) des circuits de jonction Josephson, comprend un élément supraconducteur ayant un premier coefficient de dilatation thermique formé sur une couche diélectrique ayant un second coefficient de dilatation thermique différent, et au moins un élément factice configuré pour réduire la contrainte au niveau d'une interface entre l'élément supraconducteur et la couche diélectrique lorsqu'il fonctionne dans un environnement cryogénique. De préférence, l'élément supraconducteur est un fil Nb (110, 120, 130, 150) sur une couche de SiO2 (104), et les éléments factices sont des bosses saillantes (112, 114, 116, 122, 124), des trous d'interconnexion passifs (134, 136) en dessous, ou des caractéristiques de surface (152) sur le dessus du fil.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)