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1. (WO2018017216) A METHOD AND MATERIAL FOR CMOS CONTACT AND BARRIER LAYER
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Pub. No.:    WO/2018/017216    International Application No.:    PCT/US2017/037761
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 15.06.2017
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: BAO, Xinyu; (US).
YAN, Chun; (US).
YE, Zhiyuan; (US).
SANCHEZ, Errol Antonio C.; (US).
CARLSON, David K.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; (US).
TACKETT, Keith M.; (US)
Priority Data:
62/363,617 18.07.2016 US
Title (EN) A METHOD AND MATERIAL FOR CMOS CONTACT AND BARRIER LAYER
(FR) PROCÉDÉ ET MATÉRIAU POUR CONTACT CMOS ET COUCHE BARRIÈRE
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure generally relate to methods for forming an epitaxial layer on a semiconductor device, including a method of forming a tensile-stressed silicon antimony layer. The method includes heating a substrate disposed within a processing chamber, wherein the substrate comprises silicon, and exposing a surface of the substrate to a gas mixture comprising a silicon-containing precursor and an antimony-containing precursor to form a silicon antimony alloy having an antimony concentration of 5x1020 to 5x1021 atoms per cubic centimeter or greater on the surface.
(FR)La présente invention concerne de façon générale des procédés de formation d'une couche épitaxiale sur un dispositif à semi-conducteur, y compris un procédé de formation d'une couche d'antimoine-silicium à contrainte de traction. Le procédé consiste à chauffer un substrat disposé à l'intérieur d'une chambre de traitement, le substrat comprenant du silicium, et à exposer une surface du substrat à un mélange gazeux contenant un précurseur contenant du silicium et un précurseur contenant de l'antimoine pour former un alliage antimoine-silicium ayant une concentration en antimoine de 5 x 1020 à 5 x 1021 atomes par centimètre cube ou plus sur la surface.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)