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1. (WO2018016420) COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE, AND PRODUCTION METHOD OF COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/016420    International Application No.:    PCT/JP2017/025611
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 13.07.2017
IPC:
C04B 37/00 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: NGK SPARK PLUG CO., LTD. [JP/JP]; 14-18, Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678525 (JP)
Inventors: MITSUYA Kohei; (JP).
TANGE Hideo; (JP).
HOTTA Motoki; (JP).
OGAWA Takamichi; (JP)
Agent: ALPHA INTERNATIONAL PATENT FIRM; Daiei Bldg. 3F, 1-11-20, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Priority Data:
2016-142494 20.07.2016 JP
2016-151326 01.08.2016 JP
2016-205640 20.10.2016 JP
Title (EN) COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE, AND PRODUCTION METHOD OF COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE
(FR) COMPOSANT POUR DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSANT POUR DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置用部品、および、半導体製造装置用部品の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The description of the present invention discloses a technology capable of suppressing a decline in the joining strength between a first ceramic member and a second ceramic member. This component for a semiconductor production device is equipped with a first ceramic member formed from a material having AlN as a principal component thereof, a second ceramic member formed from a material having AlN as a principal component thereof, and a joining layer which joins the first ceramic member and the second ceramic member and is positioned between the first ceramic member and the second ceramic member. Therein, the joining layer contains a complex oxide containing Gd and Al, contains Al2O3, and does not contain AlN.
(FR)La présente invention concerne une technologie permettant de supprimer une diminution de la résistance d'assemblage entre un premier élément céramique et un second élément céramique. Ce composant pour dispositif de production de semi-conducteurs est pourvu d'un premier élément céramique formé à partir d'un matériau comportant du AlN en tant que composant principal ; d'un second élément céramique formé à partir d'un matériau comportant du AlN en tant que composant principal ; et d'une couche d'assemblage, qui assemble le premier élément céramique et le second élément céramique et est positionnée entre le premier élément céramique et le second élément céramique. La couche d'assemblage renferme un oxyde complexe qui contient Gd et Al, contient Al2O3 mais est dépourvu d'AlN.
(JA)本明細書では、第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材との接合強度の低下を抑制することが可能な技術を開示する。 半導体製造装置用部品は、AlNを主成分とする材料により形成された第1のセラミックス部材と、AlNを主成分とする材料により形成された第2のセラミックス部材と、第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材との間に配置され、第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材とを接合する接合層と、を備える。接合層は、GdとAlとを含む複合酸化物と、Alとを含み、AlNを含まない。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)