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1. (WO2018016404) BORON-DOPED DIAMOND
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Pub. No.:    WO/2018/016404    International Application No.:    PCT/JP2017/025473
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 13.07.2017
IPC:
C30B 29/04 (2006.01), C01B 32/25 (2017.01), C23C 16/27 (2006.01)
Applicants: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventors: OHMAGARI, Shinya; (JP).
YAMADA, Hideaki; (JP).
UMEZAWA, Hitoshi; (JP).
CHAYAHARA, Akiyoshi; (JP).
MOKUNO, Yoshiaki; (JP)
Agent: TANAKA, Junya; (JP).
MIZUTANI, Keiya; (JP)
Priority Data:
2016-141306 19.07.2016 JP
Title (EN) BORON-DOPED DIAMOND
(FR) DIAMANT DOPÉ AU BORE
(JA) ホウ素ドープダイヤモンド
Abstract: front page image
(EN)Provided is a boron-doped diamond that has a small electrical resistance value despite containing a high concentration of boron. The boron-doped diamond is obtained by doping a diamond with boron. The boron concentration as measured by secondary ion mass spectrometry is within a range greater than 1×1019 cm-3 but equal to or less than 1×1022 cm-3. When measured by near-edge X-ray absorption fine structure analysis (NEXAFS), the ratio (B/A) of a diamond core exciton peak intensity A positioned in a range of 288-290 eV of X-ray photon energy and a peak intensity area B in a range of 286.2-288.5 eV of X-ray photon energy is 0.30 or less.
(FR)L'invention concerne un diamant dopé au bore présentant une faible valeur de résistance électrique malgré une concentration élevée de bore. Le diamant dopé au bore est obtenu par dopage d'un diamant au moyen du du bore. La concentration en bore, mesurée par spectrométrie de masse ionique secondaire, se situe dans une plage supérieure à 1×1019 cm-3 mais inférieure ou égale à 1×1022 cm-3. Lorsqu'il est mesuré par analyse de structure fine près du front d'absorption de rayons X (NEXAFS), le rapport (B/A) d'une intensité maximale d'excitons de noyau du diamant A positionné dans une plage de 288 à 290 eV d'énergie photonique de rayons X et d'une zone d'intensité maximale B dans une plage de 286,2 à 288,5 eV d'énergie photonique de rayons X est de 0,30 ou moins.
(JA)ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値が小さい、ホウ素ドープダイヤモンドを提供する。 ダイヤモンドにホウ素がドープされている、ホウ素ドープダイヤモンドであって、 二次イオン質量分析法で測定したホウ素濃度が、1×1019cm-3超、1×1022cm-3以下の範囲にあり、 X線吸収微細構造解析(NEXAFS)によって測定される、X線光子エネルギー288eV~290eVの範囲に位置するダイヤモンドコアエキシントンのピーク強度Aと、X線光子エネルギー286.2eV~288.5eVの範囲におけるピーク強度面積Bとの比(B/A)が、0.30以下である、ホウ素ドープダイヤモンド。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)