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1. (WO2018016387) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING TFT SUBSTRATE
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Pub. No.:    WO/2018/016387    International Application No.:    PCT/JP2017/025271
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 11.07.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01Q 3/34 (2006.01), H01Q 3/44 (2006.01), H01Q 13/22 (2006.01), H01Q 21/06 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: MISAKI Katsunori; (--)
Agent: OKUDA Seiji; (JP)
Priority Data:
2016-141282 19.07.2016 JP
Title (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE À BALAYAGE POURVUE D'UN SUBSTRAT TFT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT SUBSTRAT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)This TFT substrate (107) is provided with a TFT (10), a patch electrode (15) which is formed within a patch metal layer, and a gate connection wiring line (3sg) which is formed within a gate metal layer. The patch metal layer has: a first portion which has a multilayer structure that includes a lower metal layer (M1) containing a high melting point metal and an upper metal layer (M2) containing Cu, Al or Ag; and a second portion which comprises the lower metal layer but does not comprise the upper metal layer. The first portion contains the patch electrode (15); and the second portion contains a first patch connection part (15sg) that electrically connects a source bus line (SL) and the gate connection wiring line (3sg) to each other. The first patch connection part (15sg) is in contact with the source bus line within a first opening (12sg(1)) that is formed in a first insulating layer, while being in contact with the gate connection wiring line (3sg) within a second opening (12sg(2)) that is formed in a gate insulating layer and the first insulating layer.
(FR)Selon l'invention, un substrat TFT (107) comprend un TFT (10), une électrode à plaque (15) formée à l'intérieur d'une couche métallique de plaque, et une ligne de câblage de connexion de grille (3sg) formée à l'intérieur d'une couche métallique de grille. La couche métallique de plaque comporte : une première partie ayant une structure multicouche comprenant une couche métallique inférieure (M1) qui contient un métal à point de fusion élevé et une couche métallique supérieure (M2) qui contient du Cu, de l'Al ou de l'Ag ; et une seconde partie comprenant la couche métallique inférieure mais ne comprenant pas la couche métallique supérieure. La première partie comprend l'électrode à plaque (15) ; et la seconde partie comprend une première partie de connexion de plaque (15sg) qui connecte électriquement une ligne omnibus de source (SL) et la ligne de câblage de connexion de grille (3sg) l'une à l'autre. La première partie de connexion de plaque (15sg) est en contact avec la ligne omnibus de source dans une première ouverture (12sg(1)) formée dans une première couche isolante, tout en étant en contact avec la ligne de câblage de connexion de grille (3sg) dans une seconde ouverture (12sg(2)) formée dans une couche d'isolation de grille et la première couche isolante.
(JA)TFT基板(107)は、TFT(10)、パッチメタル層内に形成されたパッチ電極(15)、およびゲートメタル層内に形成されたゲート接続配線(3sg)を備え、パッチメタル層は、高融点金属を含む下部メタル層(M1)とCu、AlまたはAgを含む上部メタル層(M2)とを含む積層構造を有する第1部分と、下部メタル層を含み且つ上部メタル層を含まない第2部分とを有しており、第1部分はパッチ電極(15)を含み、第2部分はソースバスライン(SL)とゲート接続配線(3sg)とを電気的に接続する第1パッチ接続部(15sg)を含み、第1パッチ接続部(15sg)は、第1絶縁層に設けられた第1開口部(12sg(1))内でソースバスラインと接し、かつ、ゲート絶縁層および第1絶縁層に設けられた第2開口部(12sg(2))内でゲート接続配線(3sg)と接している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)