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1. (WO2018016284) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/016284    International Application No.:    PCT/JP2017/023903
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 29.06.2017
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661 (JP)
Inventors: KONO Kenji; (JP)
Agent: JIN Shunji; (JP)
Priority Data:
2016-143300 21.07.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device that comprises: a plurality of switching elements; and a semiconductor substrate. The plurality of switching elements are formed on the semiconductor substrate and are connected in parallel and driven. In a plan view of the semiconductor substrate, each of the plurality of switching elements has: a cell region (111) that functions as an IGBT as a result of having formed therein an active trench gate (G1) to which gate voltage is applied; an outer peripheral region (112) that forms the outer shape of a chip; and a non-cell region (113) that is formed to separate the cell region and the outer peripheral region and that has arranged therein a pad (114) that mediates electrical connection to the cell region. In the plan view of the semiconductor substrate, the active trench gate does not overlap the pad in the non-cell region.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une pluralité d'éléments de commutation; et un substrat semi-conducteur. La pluralité d'éléments de commutation sont formés sur le substrat semi-conducteur et sont connectés en parallèle et entraînés. Dans une vue en plan du substrat semi-conducteur, chacun de la pluralité d'éléments de commutation comporte : une région de cellule (111) qui fonctionne comme un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) suite à la formation d'une grille de tranchée active (G1) à laquelle est appliquée une tension de grille; une région périphérique externe (112) qui forme la forme extérieure d'une puce; et une région de non-cellule (113) qui est formée pour séparer la région de cellule et la région périphérique externe et dans laquelle est disposé un tampon (114) qui assure la connexion électrique à la région de cellule. Dans la vue en plan du substrat semi-conducteur, la grille de tranchée active ne chevauche pas le tampon dans la région non cellulaire.
(JA)半導体装置は、複数のスイッチング素子と、半導体基板と、を備える。複数のスイッチング素子は、並列に接続されて駆動されており、複数のスイッチング素子は半導体基板に形成されて成る。複数のスイッチング素子の各々は、半導体基板を平面視したとき、ゲート電圧が印加されるアクティブトレンチゲート(G1)が形成されてIGBTとして機能するセル領域(111)と、チップ外形を成す外周領域(112)と、セル領域と外周領域とを分離するように形成され、セル領域への電気的接続を仲介するパッド(114)が設置される非セル領域(113)と、を有する。アクティブトレンチゲートは、半導体基板を平面視したとき、非セル領域においてパッドにオーバーラップしない位置にも形成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)