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1. (WO2018016282) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/016282    International Application No.:    PCT/JP2017/023901
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 29.06.2017
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661 (JP)
Inventors: KONO Kenji; (JP)
Agent: JIN Shunji; (JP)
Priority Data:
2016-143299 21.07.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device that comprises: a plurality of IGBT elements; and freewheeling diodes that respectively correspond to the IGBT elements. The IGBT elements are connected in parallel and driven. Each of the IGBT elements has: a collector region (11); a drift region (10); a body region (13); trench gates (G1, G2, G3, G4) that pass through the body region and arrive at the drift region; and an emitter region that (14) that is surrounded by the body region and contacts the trench gates via an insulating film. Each of the IGBT elements also has: active cells at which the emitter region is formed; dummy cells at which the emitter region is not formed; and active dummy cells at which the emitter region is not formed. The active dummy cells include float cells at which the body region is electrically floating. The number of float cells is 5%-35% of the total number of active cells and active dummy cells.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une pluralité d'éléments IGBT ; et des diodes de roue libre qui correspondent respectivement aux éléments IGBT. Les éléments IGBT sont connectés en parallèle et commandés. Chaque élément IGBT comprend : une région de collecteur (11) ; une région de dérive (10) ; une région de corps (13) ; des grilles de tranchée (G1, G2, G3, G4) qui passent à travers la région de corps et arrivent au niveau de la région de dérive ; et une région d'émetteur (14) qui est entourée par la région de corps et entre en contact avec les grilles de tranchée par l'intermédiaire d'un film isolant. Chaque élément IGBT comporte également : des cellules actives dans lesquelles la région d'émetteur est formée ; des cellules factices dans lesquelles la région d'émetteur n'est pas formée; et des cellules factices actives dans lesquelles la région d'émetteur n'est pas formée. Les cellules factices actives comprennent des cellules flottantes dans lesquelles la région de corps est électriquement flottante. Le nombre de cellules flottantes est compris entre 5 % et 35 % du nombre total de cellules actives et de cellules factices actives.
(JA)半導体装置は、複数のIGBT素子と、各IGBT素子に対応する還流ダイオードを備える。複数のIGBT素子が並列に接続されて駆動されている。複数のIGBT素子の各々は、コレクタ領域(11)と、ドリフト領域(10)と、ボディ領域(13)と、ボディ領域を貫通してドリフト領域に達するトレンチゲート(G1、G2、G3、G4)と、ボディ領域に取り囲まれつつ、トレンチゲートに絶縁膜を介して接触するエミッタ領域(14)と、を有する。複数のIGBT素子の各々は、エミッタ領域が形成されるアクティブセルと、エミッタ領域が形成されないダミーセルと、エミッタ領域が形成されないアクティブダミーセルと、をさらに有する。アクティブダミーセルは、ボディ領域が電気的にフローティングとされたフロートセルを有する。フロートセルの数は、アクティブセルとアクティブダミーセルの総数に対して、5%以上35%以下とされる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)