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1. (WO2018016237) METHOD FOR EVALUATING CARBON CONCENTRATION IN SILICON SAMPLE, METHOD FOR EVALUATING SILICON WAFER PRODUCTION PROCESS, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE-CRYSTAL INGOT, SILICON SINGLE-CRYSTAL INGOT, AND SILICON WAFER
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Pub. No.: WO/2018/016237 International Application No.: PCT/JP2017/021884
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 14.06.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: SUMCO CORPORATION[JP/JP]; 1-2-1 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
Inventors: ERIGUCHI Kazutaka; JP
SAMATA Shuichi; JP
SASAKI Syun; JP
Agent: SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Priority Data:
2016-14108819.07.2016JP
Title (EN) METHOD FOR EVALUATING CARBON CONCENTRATION IN SILICON SAMPLE, METHOD FOR EVALUATING SILICON WAFER PRODUCTION PROCESS, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE-CRYSTAL INGOT, SILICON SINGLE-CRYSTAL INGOT, AND SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE LA CONCENTRATION DE CARBONE DANS UN ÉCHANTILLON DE SILICIUM, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DU PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM, LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶インゴットの製造方法、シリコン単結晶インゴット、およびシリコンウェーハ
Abstract:
(EN) Provided is a method for evaluating carbon concentration in a silicon sample, the method comprising: forming an oxide film on at least part of the surface of a silicon sample to be evaluated; irradiating the surface of the oxide film with a particle beam; irradiating the surface of the oxide film, which has been irradiated with the particle beam, with excitation light having a larger energy than the band gap of silicon; measuring the strength of photoluminescence emitted from the silicon sample to be evaluated irradiated with the excitation light; and evaluating, on the basis of the measured strength of the photoluminescence, the carbon concentration in the silicon sample to be evaluated, the photoluminescence being a band-edge emission of silicon.
(FR) L'invention concerne un procédé d'évaluation de la concentration en carbone dans un échantillon de silicium, le procédé consistant à : former un film d'oxyde sur au moins une partie de la surface d'un échantillon de silicium à évaluer; à irradier la surface du film d'oxyde avec un faisceau de particules; à irradier la surface du film d'oxyde, qui a été irradiée avec le faisceau de particules, avec une lumière d'excitation ayant une énergie plus grande que la bande interdite du silicium; mesurer la force de photoluminescence émise à partir de l'échantillon de silicium à évaluer irradié par la lumière d'excitation; et évaluer, sur la base de la force mesurée de la photoluminescence, de la concentration en carbone dans l'échantillon de silicium à évaluer, la photoluminescence étant une émission de silicium sur le bord de bande.
(JA) 評価対象シリコン試料の表面の少なくとも一部に酸化膜を形成すること、上記酸化膜の表面に粒子線を照射すること、上記粒子線が照射された酸化膜の表面にシリコンのバンドギャップより大きなエネルギーを有する励起光を照射すること、上記励起光が照射された評価対象シリコン試料から発光されるフォトルミネッセンスの強度を測定すること、および、測定されたフォトルミネッセンスの強度に基づき、評価対象シリコン試料の炭素濃度を評価することを含み、上記フォトルミネッセンスは、シリコンのバンド端発光であるシリコン試料の炭素濃度評価方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)