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1. (WO2018016146) LASER IRRADIATION DEVICE, THIN-FILM TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR
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Pub. No.:    WO/2018/016146    International Application No.:    PCT/JP2017/015885
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 20.04.2017
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005 (JP)
Inventors: MIZUMURA Michinobu; (JP)
Agent: SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; PORTAL POINT YURAKUCHO O-03,11F Shin-Yurakucho Building,1-12-1 Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006 (JP)
Priority Data:
2016-142773 20.07.2016 JP
Title (EN) LASER IRRADIATION DEVICE, THIN-FILM TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF D'IRRADIATION PAR LASER, TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHE MINCE
(JA) レーザ照射装置、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of display unevenness caused, when a glass substrate is used for the liquid crystal in a liquid crystal display device, as a result of variations that arise in the characteristics of a plurality of thin-film transistors included in the glass substrate depending on variations in the energy density of laser light. A laser irradiation device according to an embodiment of the present invention is provided with a light source which generates laser light, and a projection lens for irradiating a plurality of mutually different areas of an amorphous silicon thin-film attached to a thin-film transistor with the laser light. The laser irradiation device is characterized in that the projection lens irradiates the plurality of mutually different areas of the amorphous silicon thin-film with the laser light in such a way that the source electrode and drain electrode of the thin-film transistor are connected by a plurality of channel areas in parallel.
(FR)La présente invention résout le problème de l'irrégularité d'affichage provoquée, lorsqu'un substrat de verre est utilisé pour le cristal liquide dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides, en raison des variations qui se produisent dans les caractéristiques d'une pluralité de transistors à couche mince inclus dans le substrat en verre en fonction des variations de la densité d'énergie de la lumière laser. Un dispositif d'irradiation laser selon un mode de réalisation de la présente invention est pourvu d'une source lumineuse qui génère de la lumière laser, et une lentille de projection pour irradier une pluralité de zones mutuellement différentes d'une couche mince de silicium amorphe fixée à un transistor à couche mince avec la lumière laser. Le dispositif d'irradiation laser est caractérisé en ce que la lentille de projection irradie la pluralité de zones mutuellement différentes de la couche mince de silicium amorphe avec la lumière laser de telle sorte que l'électrode de source et l'électrode de drain du transistor à couche mince sont connectées par une pluralité de zones de canal en parallèle.
(JA)レーザ光のエネルギ密度のばらつきに依存して、ガラス基板に含まれる複数の薄膜トランジスタの特性にばらつきが生じ、ガラス基板を液晶表示装置の液晶に用いた場合、表示むらが生じてしまうという問題がある。 本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、薄膜トランジスタに被着されたアモルファスシリコン薄膜の互いに異なる複数の領域に前記レーザ光を照射する投影レンズと、を備え、前記投影レンズは、前記薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極の間が複数のチャネル領域によって並列して接続されるように、前記アモルファスシリコン薄膜の前記互いに異なる複数の領域に前記レーザ光を照射することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)