WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018015391) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/015391    International Application No.:    PCT/EP2017/068136
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 18.07.2017
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: BERGBAUER, Werner; (DE).
HERTKORN, Joachim; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2016 113 274.8 19.07.2016 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(DE)In einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2, 4, 5) aus AlInGaN auf. Die Halbleiterschichtenfolge beinhaltet einen n-leitenden n-Bereich (2), einen p-leitenden p-Bereich (5) und eine dazwischenliegende aktive Zone (4) mit mindestens einem Quantentrog zur Erzeugung einer Strahlung. Der p-Bereich (5) umfasst eine Elektronenbarriereschicht (56), eine Kontaktschicht (58) und eine dazwischenliegende Zersetzungsstoppschicht (50). Die Kontaktschicht (58) grenzt direkt an eine Kontaktmetallisierung (8), insbesondere eine Anode, des Halbleiterchips (1). In der Zersetzungsstoppschicht (50) liegt stellenweise ein Aluminiumgehalt (C) von mindestens 5 % und höchstens 30 % vor. Der Aluminiumgehalt (C) ist in der Zersetzungsstoppschicht (50) variiert.
(EN)The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (1), which, in one embodiment, has a semiconductor layer sequence (2, 4, 5) made of AlInGaN. The semiconductor layer sequence includes an n-conductive n region (2), a p-conductive p region (5) and an active zone (4) located in between and having at least one quantum trough for generating radiation. The p region (5) comprises an electron barrier layer (56), a contact layer (58) and a decomposition stop layer (50). The contact layer directly adjoins a contact metallisation (8), in particular an anode, of the semiconductor chip (1). In the decomposition stop layer (50), an aluminum content (C) of at least 5% and at most 30% is present at some points. The aluminum content (C) is varied in the decomposition stop layer (50).
(FR)Selon un mode de réalisation, la puce semi-conductrice optoélectronique (1) comprend une succession de couches semi-conductrices (2, 4, 5) constituées d’AlInGaN. La succession de couches semi-conductrices comprend une zone n à conduction de type n (2), une zone p à conduction de type p (5) et, entre celles-ci, une zone active (4) avec au moins un puits quantique pour la production d'un rayonnement. La zone p (5) comprend une couche formant barrière aux électrons (56), une couche de contact (58) et, entre celles-ci, une couche d’arrêt de décomposition (50). La couche de contact (58) est directement adjacente à une métallisation de contact (8), en particulier une anode, de la puce semi-conductrice (1). La couche d'arrêt de décomposition (50) présente par endroits une teneur en aluminium (C) de 5 % minimum et de 30 % maximum. La teneur en aluminium (C) varie dans la couche d'arrêt de décomposition (50).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)