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1. (WO2018015305) HAPTO-3-PENTADIENYL COBALT OR NICKEL PRECURSORS AND THEIR USE IN THIN FILM DEPOSITION PROCESSES
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Pub. No.: WO/2018/015305 International Application No.: PCT/EP2017/067888
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 14.07.2017
IPC:
C07F 15/04 (2006.01) ,C07F 15/06 (2006.01)
Applicants: BASF SE[DE/DE]; Carl-Bosch-Strasse 38 67056 Ludwigshafen am Rhein, DE
Inventors: LIMBURG, Carolin; DE
LOEFFLER, Daniel; DE
WILMER, Hagen; DE
WALTER, Marc; DE
REINERS, Matthias; DE
Agent: BASF IP ASSOCIATION; BASF SE G-FLP - C006 67056 Ludwigshafen, DE
Priority Data:
16179948.118.07.2016EP
Title (EN) HAPTO-3-PENTADIENYL COBALT OR NICKEL PRECURSORS AND THEIR USE IN THIN FILM DEPOSITION PROCESSES
(FR) PRÉCURSEURS DE HAPTO-3-PENTADIÉNYLE COBALT OU NICKEL ET LEUR UTILISATION DANS DES PROCÉDÉS DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE
Abstract: front page image
(EN) The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates. In particular, the present invention relates to a process comprising bringing a compound of general formula (I) into the gaseous or aerosol state and depositing the compound of general formula (I) from the gaseous or aerosol state onto a solid substrate, wherein R1, R2, R3, R4, and R5 are independent of each other hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group or a silyl group, p is 1, 2, M is Ni or Co, X is a σ-donating ligand which coordinates M, m is 1 or 2 and n is 0 to 3.
(FR) La présente invention concerne le domaine des procédés de génération de couches minces inorganiques sur des substrats. En particulier, la présente invention concerne un procédé qui consiste à amener un composé de formule générale (I) à l'état gazeux ou d'aérosol et à déposer le composé de formule générale (I) à l'état gazeux ou d'aérosol sur un substrat solide; dans la formule, R1, R2, R3, R4, et R5 sont indépendants de chaque autre hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe aryle ou un groupe silyle; p représente 1, 2; m représente Ni ou Co; X est un ligand σ-donneur qui coordonne M; m représente 1 ou 2 et n est compris entre 0 et 3.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)