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1. (WO2018015156) ELECTRICAL ASSEMBLY COMPRISING A METAL BODY ARRANGED ON A SEMICONDUCTOR CHIP AND A CONNECTING MATERIAL ARRANGED BETWEEN THE SEMICONDUCTOR CHIP AND THE METAL BODY AND CONNECTING THEM
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Pub. No.:    WO/2018/015156    International Application No.:    PCT/EP2017/066786
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 05.07.2017
IPC:
H01L 23/49 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01), H01L 21/603 (2006.01)
Applicants: DANFOSS SILICON POWER GMBH [DE/DE]; Husumer Strasse 251 24941 Flensburg (DE)
Inventors: OSTERWALD, Frank; (DK).
SCHEFUSS, Frank; (DK).
RUDZKI, Jacek; (DK)
Agent: WHITING, Gary; (DK).
STEVENS, Brian; (DK)
Priority Data:
10 2016 113 319.1 19.07.2016 DE
Title (EN) ELECTRICAL ASSEMBLY COMPRISING A METAL BODY ARRANGED ON A SEMICONDUCTOR CHIP AND A CONNECTING MATERIAL ARRANGED BETWEEN THE SEMICONDUCTOR CHIP AND THE METAL BODY AND CONNECTING THEM
(FR) ASSEMBLAGE ÉLECTRIQUE COMPRENANT UN CORPS MÉTALLIQUE DISPOSÉ SUR UNE PUCE À SEMI-CONDUCTEUR ET UN MATÉRIAU DE CONNEXION DISPOSÉ ENTRE LA PUCE À SEMI-CONDUCTEUR ET LE CORPS MÉTALLIQUE ET LES CONNECTANT
Abstract: front page image
(EN)Electrical assembly (10) comprising a semiconductor chip (20), a metal body (30) arranged on the semiconductor chip (20), and a connecting material (40) (in particular, a sintering material) arranged between the semiconductor chip (20) and the metal body (30) and serving for connecting the semiconductor chip (20) to the metal body (30), wherein the metal body (30) has a first section (30a) arranged above the connecting material (40), a second section (30b) arranged in a manner surrounding the connecting material (40) and touching the semiconductor chip (20), and a third section (30c) connecting the first section (30a) to the second section (30b). In particular, a portion (40a) of the sintering material (40) which is arranged adjacent to the second section (30b), and in particular in the region of the third section (30c) of the metal body (30), is more compressed than the portion (40b) of the sintering material (40) arranged centrally below the first section (30a) of the metal body (30). The connecting layer (40), that is sensitive to crack initiations against environmental influences, is thus shielded by virtue of the fact that the metal body (30) covering the connecting layer (40) is pressed onto the semiconductor chip (20) with its sections extending beyond the area of the connecting layer (40). The metal body (30) additionally acts as a barrier to environmental influences otherwise acting in the direction of the connecting layer (40). Crack initiation or a corrosive attack by external influences is effectively minimized by this design.
(FR)Un assemblage électrique (10) comprenant une puce semi-conductrice (20), un corps métallique (30) disposé sur la puce semi-conductrice (20), et un matériau de connexion (40) (en particulier, un matériau de frittage) disposé entre la puce semi-conductrice (20) et le corps métallique (30) et servant à connecter la puce semi-conductrice (20) au corps métallique (30), le corps métallique (30) présentant une première section (30a) disposée au-dessus du matériau de connexion (40), une deuxième section (30b) disposée de manière à entourer le matériau de connexion (40) et touchant la puce à semi-conducteur (20), et une troisième section (30c) connectant la première section (30a) à la deuxième section (30b). En particulier, une portion (40a) du matériau de frittage (40) qui est disposée adjacente à la deuxième section (30b), et en particulier dans la région de la troisième section (30c) du corps métallique (30), est plus comprimée que la portion (40b) du matériau de frittage (40) disposée au centre en dessous de la première section (30a) du corps métallique (30). La couche de connection (40), qui est sensible aux initiations de fissures contre les influences de l'environnement, est ainsi protégée du fait que le corps métallique (30) recouvrant la couche de connexion (40) est pressée sur la puce à semi-conducteur (20), ses sections s'étendant au-delà de la zone de la couche de connexion (40). Le corps métallique (30) agit additionnellement comme barrière aux influences de l'environnement agissant autrement dans la direction de la couche de connexion (40). Cette conception permet de minimiser efficacement l'apparition de fissures ou d'une attaque corrosive par des influences extérieures.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)