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Pub. No.:    WO/2018/014780    International Application No.:    PCT/CN2017/092829
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 13.07.2017
H03B 5/20 (2006.01)
Applicants: CHINA STAR COMMUNICATION CO., LTD. [CN/CN]; The 2nd Floor, No. 37 Building, 1st Baotian Road Xixiang Street, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518102 (CN).
HUAXUN SATELLITE COMMUNICATIONS CO., LTD. [CN/CN]; The 2nd Floor, No. 37 Building, Chentian Industrial Zone 1st Baotian Road, Xixiang Street, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518102 (CN)
Inventors: CHEN, Jiacheng; (CN).
YAO, Jianke; (CN).
DING, Qing; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Priority Data:
201610575417.X 20.07.2016 CN
(ZH) 介质谐振振荡器
Abstract: front page image
(EN)A dielectric resonator oscillator, comprising a housing (100), a dielectric resonator (200) and a microstrip line (300), wherein the dielectric resonator (200) and the microstrip line (300) are mounted inside the housing (100), and the dielectric resonator (200) is located at one side of the microstrip line (300) and is electromagnetically coupled to the microstrip line (300). The dielectric resonator oscillator further comprises a first circuit board (400) and a support structure (500), wherein the microstrip line (300) is arranged on the first circuit board (400); the support structure (500) is connected between the first circuit board (400) and the housing (100), and the support structure (500) and the dielectric resonator (200) are mounted at the same side in the housing (100); and the first circuit board (400), the support structure (500) and the housing (100) together constitute a cavity (800), and inner and outer spaces of the cavity (800) are in communication with each other. Therefore, electromagnetic waves below the microstrip line (300) can be coupled to the dielectric resonator (200) via the cavity (800), thereby decreasing the amount of electromagnetic waves absorbed by the housing (100), reducing the loss of electromagnetic wave energy and improving a Q value of the dielectric resonator oscillator.
(FR)L'invention concerne un oscillateur à résonateur diélectrique, comprenant un boîtier (100), un résonateur diélectrique (200) et une ligne à microruban (300). Le résonateur diélectrique (200) et la ligne à microruban (300) sont montés à l'intérieur du boîtier (100), et le résonateur diélectrique (200) est situé d'un côté de la ligne à microruban (300) et est couplé de façon électromagnétique à la ligne à microruban (300). L'oscillateur à résonateur diélectrique comprend en outre une première carte de circuit imprimé (400) et une structure support (500). La ligne à microruban (300) est disposée sur la première carte de circuit imprimé (400), la structure support (500) est reliée entre la première carte de circuit imprimé (400) et le boîtier (100), et la structure support (500) ainsi que le résonateur diélectrique (200) sont montés du même côté dans le boîtier (100). La première carte de circuit imprimé (400), la structure support (500) et le boîtier (100) constituent ensemble une cavité (800), et les espaces intérieur et extérieur de la cavité (800) sont en communication l'un avec l'autre. Par conséquent, les ondes électromagnétiques en dessous de la ligne à microruban (300) peuvent être couplées au résonateur diélectrique (200) par le biais de la cavité (800), réduisant ainsi la quantité d'ondes électromagnétiques absorbées par le boîtier (100), réduisant la perte d'énergie des ondes électromagnétiques et améliorant une valeur Q de l'oscillateur à résonateur diélectrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)