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1. (WO2018014671) LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Pub. No.:    WO/2018/014671    International Application No.:    PCT/CN2017/087713
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 09.06.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01)
Applicants: XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100 (CN)
Inventors: CHENG, Chih-Ching; (CN).
LING, Chan-Chan; (CN).
CHANG, Chia-Hung; (CN)
Priority Data:
201610565314.5 19.07.2016 CN
Title (EN) LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种发光二极管及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a light-emitting diode and a manufacturing method therefor. By means of a low growth rate, a high Mg/Ga molar ratio and high Mg doping, when the thickness of a P-type layer (600) is less than or equal to 250 Å, a V-type defect on the upper surface of an electron blocking layer (500) still can be filled up, thus reducing light absorption of the P-type layer (600). Also, electric leakage of a device caused by a greater density of the V-type defect on the surface is reduced, improving the anti-electrostatic capability thereof.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente et son procédé de fabrication. Au moyen d'un faible taux de croissance, d'un rapport molaire Mg/Ga élevé et d'un dopage Mg élevé, lorsque l'épaisseur d'une couche de type P (600) est inférieure ou égale à 250 Å, il est encore possible de remplir un défaut de type V sur la surface supérieure d'une couche de blocage d'électrons (500), ce qui réduit l'absorption de lumière de la couche de type P (600). En outre, la fuite électrique d'un dispositif provoquée par une plus grande densité du défaut de type V sur la surface est réduite, ce qui améliore sa capacité anti-électrostatique.
(ZH)一种发光二极管及其制备方法,利用低生长速率、高Mg/Ga摩尔比及高Mg掺杂,使得P型层(600)在厚度小于或者等于250Å时,仍然能填平电子阻挡层(500)上表面的V型缺陷,减小P型层(600)对光的吸收,同时,减小器件因表面V型缺陷密度较大而产生的漏电情况,提升其抗静电能力。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)