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1. (WO2018014459) METHOD FOR REGULATING CARRIER CONCENTRATION OF MATERIAL, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Pub. No.:    WO/2018/014459    International Application No.:    PCT/CN2016/103135
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 24.10.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), G01R 31/26 (2014.01), G01R 27/02 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF ADVANCED TECHNOLOGY USTC [CN/CN]; No. 5089, West Wangjiang Road Hefei, Anhui 230088 (CN)
Inventors: CHEN, Xianhui; (CN).
LEI, Bin; (CN)
Agent: HEFEI SHANGJIA PATENT AGENCY; 6B-1909 Chuangzhi Plaza, No.429 Maanshan South Road, Baohe District Hefei, Anhui 230051 (CN)
Priority Data:
201610585699.1 22.07.2016 CN
Title (EN) METHOD FOR REGULATING CARRIER CONCENTRATION OF MATERIAL, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGULATION DE LA CONCENTRATION DE PORTEURS DE CHARGES D’UN MATÉRIAU, TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 调控材料载流子浓度的方法、场效应晶体管和制造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for regulating a carrier concentration of a material, a field effect transistor and a manufacturing method therefor. The step of preparing a field effect transistor carrying a regulated material involves a substrate, a regulated material thin film growing on the substrate or a regulated material thin layer transferred to the substrate, a source electrode and a drain electrode arranged on the regulated material thin film or thin layer of the substrate, and a gate electrode arranged on the other surface of the substrate, wherein the substrate is a solid ion conductor. The field effect transistor is placed in a set environment, and a voltage is applied between the gate electrode and source electrode thereof so as to regulate a carrier concentration of the regulated material. According to the method of the present invention, the limitation of a method for regulating a carrier concentration of a material of a transistor with a solid oxide or a liquid electrolyte serving as a gate medium is overcome, and there is a larger breakdown electric field. With regard to a laminated material with a van der Waals force, the overall carrier concentration of the material can be regulated, and even a newly-structured material can be obtained.
(FR)L’invention concerne un procédé de régulation d’une concentration de porteurs de charges d’un matériau, un transistor à effet de champ et son procédé de fabrication. L’étape de préparation d’un transistor à effet de champ portant un matériau régulé consiste en un substrat, en une pellicule mince de matériau régulé croissant sur le substrat ou une pellicule mince de matériau régulé transférée sur le substrat, en une électrode de source et une électrode de drain agencées sur la pellicule mince de matériau régulé ou sur la couche mince du substrat, et une électrode de grille agencée sur l’autre surface du substrat, le substrat étant un conducteur d’ions solide. Le transistor à effet de champ est placé dans un environnement défini, et une tension est appliquée entre son électrode de grille et son électrode de source afin de réguler une concentration de porteurs de charges du matériau régulé. Selon le procédé selon la présente invention, la limitation d’un procédé de régulation d’une concentration de porteurs de charges d’un matériau d’un transistor comportant un oxyde solide ou un électrolyte liquide servant de milieu de grille est surmontée, et il existe un champ électrique de rupture plus important. Par rapport à un matériau stratifié soumis à une force de Van der Waals, la concentration de porteurs de charge du matériau peut être régulée, et même un matériau à structure innovante peut être obtenu.
(ZH)一种调控材料载流子浓度的方法、场效应晶体管和制造方法,该制备携带被调材料的场效应晶体管的步骤,其中,衬底、在衬底上生长的被调材料薄膜或者转移到衬底上的被调材料薄层、在衬底的被调材料薄膜或薄层上设置的源电极和漏电极、以及在衬底的另一面上设置的栅电极,其中,衬底为固体离子导体。将场效应晶体管放在设定环境中,在其栅电极和源电极之间加上电压,对被调材料的载流子浓度进行调控。根据本发明的方法,克服了固态氧化物或液态电解质作为栅介质的晶体管调控材料载流子浓度方法的局限,具有更大的击穿电场。对于层状具有范德瓦尔斯力的材料,能调节材料整体的载流子浓度,甚至可以获得新结构材料。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)