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1. (WO2018014143) A METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING GRAPHENE ON A COPPER SUBSTRATE BY MODIFIED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (AP-CVD)
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Pub. No.:    WO/2018/014143    International Application No.:    PCT/CL2017/050032
Publication Date: 25.01.2018 International Filing Date: 18.07.2017
IPC:
C01B 31/00 (2006.01), C01B 31/04 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), C23C 16/26 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C23C 16/54 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Applicants: UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA [CL/CL]; AVENIDA ESPAÑA 1680 VALPARAÍSO (CL)
Inventors: HÄBERLE TAPIA, Patricio; (CL).
ORELLANA GÓMEZ, Christian; (CL)
Agent: JOHANSSON & LANGLOIS; SAN PÍO X Nº 2460, PISO 11, PROVIDENCIA SANTIAGO (CL)
Priority Data:
1858-2016 21.07.2016 CL
Title (EN) A METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING GRAPHENE ON A COPPER SUBSTRATE BY MODIFIED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (AP-CVD)
(ES) MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR LA PRODUCTION DE GRAPHÈNE SUR UN SUBSTRAT EN CUIVRE PAR DÉPÔT DE VAPEURS CHIMIQUES (AP-CVD) MODIFIÉ
Abstract: front page image
(EN)A method and system for producing graphene on a copper substrate by modified chemical vapour deposition (AP-CVD) comprising arranging two copper sheets (40) in a parallel manner and separated by a ceramic material (30), placing said copper sheets (40) inside an open chamber consisting of a cylindrical glass chamber (10), heating the two copper sheets (40) to a predetermined temperature using an electromagnetic induction heater (20), supplying a mixture of methane and argon flows to the upper face (18) of said cylindrical glass chamber (10), continuously monitoring the temperature of the two copper sheets (40), heating to around 1000 °C for a predetermined time using the electromagnetic induction heater (20), and cooling to room temperature under the same methane and argon flows.
(ES)Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: - disponer de dos láminas de cobre (40) dispuestas en forma paralela y separadas con un material cerámico (30); - incorporar dichas dos láminas de cobre (40) al interior de una cámara abierta, que está constituido por una cámara cilíndrica de vidrio (10); - calentar las dos láminas de cobre (40) mediante un calentador por inducción electromagnética (20) a una temperatura predeterminada; - suministrar una mezcla de caudales de Metano y Argón en la cara superior (18) de dicha cámara cilíndrica de vidrio (10); - monitorizar continuamente la temperatura de las dos láminas de cobre (40); - calentar a alrededor de los 1000°C a través del calentador de inducción electromagnética (20) durante un tiempo predeterminado; y - enfriar con los mismos caudales de Metano y Argón, hasta la temperatura ambiente.
(FR)La présente invention concerne un procédé et système pour la production de graphène sur un substrat en cuivre par dépôt de vapeurs chimiques (AP-CVD) modifié; lequel procédé consiste à: - utiliser deux feuilles de cuivre (40) disposées de manière parallèle et séparées par un matériau céramique (30); - introduire les deux feuilles de cuivre (40) à l’intérieur d’une chambre ouverte qui est constituée d’une chambre cylindrique en verre (10); - chauffer, à une température prédéterminée, les deux feuilles de cuivre (40) au moyen d’un dispositif de chauffage par induction électromagnétique (20); - envoyer un mélange de courants de méthane et d’argon dans la partie supérieure (18) de ladite chambre cylindrique en verre (10); - surveiller en continu la température des deux feuilles de cuivre (40); - chauffer à environ 1000°C au moyen du dispositif de chauffage à induction électromagnétique (20) pendant un temps prédéterminé; et - refroidir lesdits courants de méthane et d’argon jusqu’à la température ambiante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Spanish (ES)
Filing Language: Spanish (ES)