WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018013998) IMPROVED METHOD FOR COMPUTER MODELING AND SIMULATION OF NEGATIVE-TONE-DEVELOPABLE PHOTORESISTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/013998    International Application No.:    PCT/US2017/042257
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 14.07.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G03F 7/00 (2006.01)
Applicants: KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventors: BIAFORE, John J.; (US).
SMITH, Mark D.; (US).
GRAVES, Trey (John) S.; (US).
BLANKENSHIP, David A.; (US).
VAGLIO PRET, Alessandro; (US)
Agent: MCANDREWS, Kevin; (US).
MORRIS, Elizabeth M. N; (US)
Priority Data:
62/363,041 15.07.2016 US
15/232,302 09.08.2016 US
Title (EN) IMPROVED METHOD FOR COMPUTER MODELING AND SIMULATION OF NEGATIVE-TONE-DEVELOPABLE PHOTORESISTS
(FR) PROCÉDÉ AMÉLIORÉ DE MODÉLISATION ET DE SIMULATION PAR ORDINATEUR DE PHOTORÉSINES À DÉVELOPPEMENT DE TON NÉGATIF
Abstract: front page image
(EN)In some embodiments, a method may include improving a development process of a photoresist. The method may include simulating a negative-tone development process of a photoresist. The method may include determining a reaction of a developer with a soluble photoresist surface. Determining the reaction of the developer may include applying a reaction rate constant at a power of a reaction order to a blocked polymer concentration to yield a resist dissolution rate of soluble resist comprising the dissolution-limited regime of development. The method may include determining a flux of the developer into exposed and partially soluble resist. Determining the flux of the developer may include applying a vector valued diffusion coefficient of the developer dependent upon the blocked polymer concentration to a gradient of developer concentration to an expansion rate of insoluble resist comprising the expansion-controlled regime of development. The method may include optimizing an illumination source and a mask on a full chip.
(FR)Selon certains modes de réalisation de la présente invention, un procédé peut consister à améliorer un processus de développement d'une photorésine. Le procédé peut consister à simuler un processus de développement de ton négatif d'une photorésine. Le procédé peut consister à déterminer une réaction d'un révélateur avec une surface de photorésine soluble. La détermination de la réaction du révélateur peut consister à appliquer une constante de vitesse de réaction à une puissance d'un ordre de réaction à une concentration de polymère bloquée en vue de produire un taux de dissolution de résine de résine soluble comprenant le régime de développement limité par dissolution. Le procédé peut consister à déterminer un flux du révélateur dans une résine exposée et partiellement soluble. La détermination du flux du révélateur peut consister à appliquer un coefficient de diffusion à valeur vectorielle du révélateur en fonction de la concentration de polymère bloquée à un gradient de concentration de révélateur à un taux d'expansion de résine insoluble comprenant le régime de développement commandé par expansion. Le procédé peut consister à optimiser une source d'éclairage et un masque sur une puce complète.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)