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1. (WO2018013436) IMPROVED JOSEPHSON JUNCTION USING MOLECULAR BEAM EPITAXY
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Pub. No.:    WO/2018/013436    International Application No.:    PCT/US2017/041272
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 08.07.2017
IPC:
H01L 39/02 (2006.01), H01L 39/12 (2006.01), H01L 39/22 (2006.01)
Applicants: AMBATURE, INC. [US/US]; 7047 E. Greenway Parkway, Suite 250 Scottsdale, AZ 85254 (US)
Inventors: LEBBY, Michael, S.; (US).
HARTMANN, Davis, H.; (US)
Agent: TOERING, Rick, A.; (US)
Priority Data:
62/360,920 11.07.2016 US
Title (EN) IMPROVED JOSEPHSON JUNCTION USING MOLECULAR BEAM EPITAXY
(FR) JONCTION JOSEPHSON AMÉLIORÉE PAR ÉPITAXIE PAR FAISCEAUX MOLÉCULAIRES
Abstract: front page image
(EN)According to various implementations of the invention, a vertical Josephson Junction device may be realized using molecular beam epitaxy (MBE) growth of YBCO and PBCO epitaxial layers in an a-axis crystal orientation. Various implementations of the invention provide improved vertical JJ devices using SiC or LSGO substrates; GaN, AIN, or MgO buffer layers; YBCO or LSGO template layers; YBCO conductive layers and various combinations of barrier layers that include PBCO, NBCO, and DBCO. Such JJ devices are simple to fabricate with wet and dry etching, and allow for superior current flow across the barrier layers.
(FR)Selon divers modes de réalisation, l’invention concerne un dispositif vertical à jonction Josephson qui peut être réalisé par croissance épitaxique par faisceaux moléculaires (MBE) de couches épitaxiques de YBCO et de PBCO dans une orientation cristalline d’axe a. Divers modes de réalisation selon l’invention concernent des dispositifs verticaux améliorés à JJ utilisant des substrats de SiC ou de LSGO ; des couches tampons de GaN, d’AIN, ou de MgO ; des couches de modèle de YBCO ou de LSGO ; des couches conductrices de YBCO et diverses combinaisons de couches de barrière qui incluent du PBCO, du NBCO, et du DBCO. De tels dispositifs à JJ sont simples à fabriquer par gravure par voie humide et sèche, et permettent une circulation supérieure de courant à travers les couches de barrière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)