WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018012547) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH P-TYPE DIFFUSION LAYER, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/012547    International Application No.:    PCT/JP2017/025439
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 12.07.2017
IPC:
H01L 21/225 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventors: SATO, Tetsuya; (JP).
NOJIRI, Takeshi; (JP).
TANAKA, Naotaka; (JP).
IWAMURO, Mitsunori; (JP).
SHIMIZU, Shigenori; (JP).
MORISHITA, Masatoshi; (JP)
Agent: TAIYO, NAKAJIMA & KATO; 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2016-139767 14.07.2016 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH P-TYPE DIFFUSION LAYER, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE COUCHE DE DIFFUSION DE TYPE P, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AVEC COUCHE DE DIFFUSION DE TYPE P, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE ET ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE
(JA) p型拡散層付き半導体基板の製造方法、p型拡散層付き半導体基板、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池素子
Abstract: front page image
(EN)This method for producing a semiconductor substrate with a p-type diffusion layer comprises: a step wherein a p-type diffusion layer-forming composition, which contains a compound containing boron, is applied onto a semiconductor substrate, thereby forming a p-type diffusion layer-forming composition layer in which the mass of the compound containing boron per unit area is from 0.001 mg/cm2 to 0.1 mg/cm2; and a step wherein a p-type diffusion layer is formed on the semiconductor substrate by heating the semiconductor substrate, on which the p-type diffusion layer-forming composition layer has been formed.
(FR)Ce procédé de production d'un substrat semi-conducteur avec une couche de diffusion de type p comprend: une étape dans laquelle une composition formant une couche de diffusion de type p, qui contient un composé contenant du bore, est appliquée sur un substrat semi-conducteur, formant ainsi une couche de composition formant une couche de diffusion de type p dans laquelle la masse du composé contenant du bore par unité de surface est de 0,001 mg/cm 2 à 0,1 mg/cm 2; et une étape dans laquelle une couche de diffusion de type p est formée sur le substrat semi-conducteur par chauffage du substrat semi-conducteur, sur lequel la couche de composition formant une couche de diffusion de type p a été formée.
(JA)p型拡散層付き半導体基板の製造方法は、半導体基板上に、ホウ素を含む化合物を含有するp型拡散層形成組成物を付与して、単位面積当たりの前記ホウ素を含む化合物の質量が0.001mg/cm~0.1mg/cmであるp型拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記p型拡散層形成組成物層が付与された前記半導体基板を熱処理して、前記半導体基板にp型拡散層を形成する工程と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)