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1. (WO2018012289) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/012289 International Application No.: PCT/JP2017/023718
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 28.06.2017
IPC:
H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/028 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
Inventors: HAGINO Hiroyuki; --
IMAFUJI Osamu; --
NOZAKI Shinichiro; --
Agent: TOKUDA Yoshiaki; JP
NISHIDA Hiroki; JP
Priority Data:
2016-13978714.07.2016JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体レーザ及び窒化物半導体レーザ装置
Abstract: front page image
(EN) A nitride semiconductor laser (1) is provided with a first nitride semiconductor layer (20), a light-emitting layer (30) comprising a nitride semiconductor formed on the first nitride semiconductor layer (20), a second nitride semiconductor layer (40) that is formed on the light-emitting layer (30) and has a ridge part (40a), an electrode member (50) that is formed on the second nitride semiconductor layer (40) and is wider than the ridge part (40a), and a dielectric layer (60) comprising SiO2 formed on a side surface of the ridge part (40a). A space part (70) is formed between the electrode member (50) and the dielectric layer (60). The electrode member (50) is in a non-contact state with respect to the dielectric layer (60) due to the space part (70), and is in contact with the upper surface of the ridge part (40a).
(FR) L'invention concerne un laser à semi-conducteur au nitrure (1) qui est pourvu d'une première couche semi-conductrice au nitrure (20), d'une couche émettrice de lumière (30) comprenant un semi-conducteur au nitrure formé sur la première couche semi-conductrice au nitrure (20), d'une seconde couche semi-conductrice au nitrure (40) qui est formée sur la couche émettrice de lumière (30) et présente une partie de crête (40a), d'un élément d'électrode (50) qui est formé sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure (40) et est plus large que la partie de crête (40a), ainsi que d'une couche diélectrique (60) comprenant du SiO 2 formé sur une surface latérale de la partie de crête (40a). Une partie d'espace (70) est formée entre l'élément d'électrode (50) et la couche diélectrique (60). L'élément d'électrode (50) est dans un état sans contact par rapport à la couche diélectrique (60) en raison de la partie d'espace (70), et est en contact avec la surface supérieure de la partie de crête (40a).
(JA) 窒化物半導体レーザ(1)は、第1の窒化物半導体層(20)と、第1の窒化物半導体層(20)の上に形成された窒化物半導体からなる発光層(30)と、発光層(30)の上に形成され、リッジ部(40a)を有する第2の窒化物半導体層(40)と、第2の窒化物半導体層(40)の上に形成され、リッジ部(40a)よりも幅広である電極部材(50)と、リッジ部(40a)の側面に形成されたSiOからなる誘電体層(60)とを備え、電極部材(50)と誘電体層(60)との間には、空間部(70)が形成され、電極部材(50)は、空間部(70)により誘電体層(60)とは非接触であり、リッジ部(40a)の上面と接触している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)