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1. (WO2018012027) METHOD FOR PRODUCING NEUTRON-IRRADIATED SILICON SINGLE CRYSTAL
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Pub. No.:    WO/2018/012027    International Application No.:    PCT/JP2017/008459
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 03.03.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01)
Applicants: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1 Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventors: HAYAKAWA, Hiroshi; (JP)
Agent: TOKOSHIE PATENT FIRM; (JP)
Priority Data:
2016-136622 11.07.2016 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING NEUTRON-IRRADIATED SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN MONOCRISTAL DE SILICIUM IRRADIÉ PAR DES NEUTRONS
(JA) 中性子照射シリコン単結晶の製造方法
Abstract: front page image
(EN)In a method for producing a silicon single crystal of predetermined resistivity by irradiating an ingot (I) of a grown silicon single crystal (C) with neutrons under specific conditions and phosphorus doping, when calculating the target neutron dose to obtain the predetermined resistivity, a plurality of neutron doses different in neutron dose are set for each silicon single crystal under the specific conditions and neutrons are irradiated, the resistivity of a plurality of doped silicon single crystals obtained at each neutron dose is measured, a calibration curve showing the relationship of the neutron dose and resistivity is determined in advance, and a value of a predetermined range including the neutron dose at which the resistivity by the calibration curve becomes the predetermined resistivity is taken as the target neutron dose.
(FR)Dans un procédé de production d'un monocristal de silicium d'une résistivité prédéterminée par irradiation d'un lingot (I) d'un monocristal (C) de silicium développé par des neutrons dans des conditions spécifiques et avec un dopage au phosphore, lors du calcul de la dose cible de neutrons pour obtenir la résistivité prédéterminée, une pluralité de doses de neutrons différentes en ce qui concerne la dose de neutrons sont réglées pour chaque monocristal de silicium dans les conditions spécifiques et les neutrons sont irradiés, la résistivité d'une pluralité de monocristaux de silicium dopés obtenus à chaque dose de neutrons est mesurée, une courbe d'étalonnage montrant la relation entre la dose de neutrons et la résistivité est déterminée au préalable et une valeur d'une plage prédéterminée comprenant la dose de neutrons à laquelle la résistivité par la courbe d'étalonnage devient la résistivité prédéterminée est prise en tant que dose cible de neutrons.
(JA)育成されたシリコン単結晶(C)のインゴット(I)に固有条件の下で中性子を照射し、リンをドーピングすることで所定の抵抗率のシリコン単結晶を製造する方法において、前記所定の抵抗率を得るための目標中性子照射量を算出するにあたり、前記固有条件の下、シリコン単結晶毎に中性子照射量が異なる複数の中性子照射量を設定して中性子を照射し、各中性子照射量について得られた、複数の前記ドーピングされたシリコン単結晶の抵抗率を測定し、前記中性子照射量と前記抵抗率との関係を示す検量線を予め求めておき、前記検量線による抵抗率が前記所定の抵抗率になる中性子照射量を含む所定範囲の値を、前記目標中性子照射量とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)